[發明專利]一種具有兼容性的小彎曲半徑單模光纖

有效

• 申請號: 201410037490.2
• 申請日: 2014-01-26
• 公開（公告）號: CN103869410A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 羅文勇;李詩愈;陳偉;莫琦;柯一禮;胡福明
• 申請（專利權）人: 烽火通信科技股份有限公司
• 主分類號: G02B6/036
• 分類號: G02B6/036;G02B6/028
• 代理公司: 北京捷誠信通專利事務所(普通合伙) 11221
• 代理人: 魏殿紳;龐炳良

技術領域

本發明涉及單模光纖領域，具體來講是一種具有兼容性的小彎曲半徑單模光纖。

背景技術

目前通信網絡的建設帶動了光纖入戶和ODN技術的飛速發展，這二者都對光纖的抗彎曲性能提出了很高的要求。光纖在彎曲條件下，會發生光信號的衰減，這是由于光纖彎曲后有部分功率的光泄漏了出去，這些泄漏出的光將會被涂層材料等吸收從而發熱。有研究發現常規G.652D單模光纖做成的跳線，當在彎曲半徑15mm條件下長時間工作時，由于持續的發熱，會造成其兩個連接端點間的損壞，造成接續損耗的持續降低，并帶來不可恢復的損害。對于ODN中小配線盒內將大量光纖彎曲布線而言，由于光纖彎曲帶來的光功率泄漏造成的發熱將會給ODN的通信穩定帶來嚴重影響。

光纖的抗彎曲性能的提升不僅有利于保證光信號傳輸的高質量，而且可以減小其所在通信系統的整體發熱量，提升該系統的整體性能。世界各先進光纖企業針對通信網絡的熱點技術ODN技術對超強抗彎光纖技術的需求，展開了深入的研究。我國的光纖光纜企業目前主要集中在ITUT-G.657所要求的彎曲半徑10mm或更小的小彎曲半徑單模光纖如G.657B2/3的技術研究。

但是隨著ODN技術為適應光纖網絡和3G網絡的建設對占地空間的要求，往往需要在極小的配線盒內布置大量的設備，此時留給用于設備間高速、高帶寬通信連接的光纖的空間將更為狹小，其對光纖的彎曲性能要求越來越高，越來越多的應用需要彎曲半徑小于3mm乃至2mm以下的超強抗彎單模光纖。同時，這種超強抗彎單模還需要與普通單模光纖具有良好的兼容性，二者之間的單點熔接損耗需要控制在一個可以接受的較小范圍內。

對于光纖入戶而言，其所選用的光纖事實上需要具有兩個關鍵特性，其一是抗彎曲能力，即小彎曲半徑低損耗的光信號傳輸，這是其根本特性；其二是需要與常規G.652光纖具有一定的兼容特性。因為在當前骨干網和城域網乃至接入網的前端，大量鋪設的光纖基本都是G.652光纖，如果在光纖入戶段選用的光纖與其兼容特性差，即使其具有良好的彎曲性能，但是由于其在與常規G.652光纖熔接時損耗大，也會造成光信號在二者對接時大量損耗，從而額外需要更大的光增益，或者入戶端干脆仍選用G.652光纖。因此，雖然當前已有抗彎曲光纖，但是由于其與常規G.652光纖兼容性能差，并不能滿足光纖入戶市場的大量采用。

發明內容

針對現有技術中存在的缺陷，本發明的目的在于提供一種具有兼容性的小彎曲半徑單模光纖，實現彎曲半徑達2mm以下的超強抗彎曲能力，同時可實現與常規單模光纖的良好兼容。

為達到以上目的，本發明采取的技術方案是：一種具有兼容性的小彎曲半徑單模光纖，包括同心設置的芯層漸變層、摻鍺芯層，以及由內至外同心設置的第一包層、第二包層和第三包層，所述摻鍺芯層與第一包層之間設有第一過渡層，第一包層和第二包層之間設有第二過渡層，第二包層和第三包層之間設有第三過渡層；所述芯層漸變層的相對折射率差為Δn1，是以實現，其中x₁為芯層漸變層內任一點到其中軸線的距離；a₁為芯層漸變層的漸變系數，b₁為芯層漸變層的漸變穩定系數，a₁的取值范圍為0.5%～2%，b₁的取值范圍為0～0.2%；所述第一過渡層的相對折射率差為Δn3，是以實現，其中x₃為第一過渡層3內任一點所處的以光纖中心為圓心的同心圓與摻鍺芯層2外邊緣之間的距離，a₃、b₃為過渡系數，a₃的取值范圍為0.3～0.8，b₃的取值范圍為0.3%～0.8%；所述第二過渡層的相對折射率差為Δn5，是以實現，其中x₅為第二過渡層5內任一點所處的以光纖中心為圓心的同心圓與第一包層4外邊緣之間的距離，a₅、b₅為過渡系數，a₅的取值范圍為-1.0%～-0.3%，b₅的取值范圍為0～0.1%；所述第三過渡層的相對折射率差為Δn7，是以實現，其中x₇為第三過渡層7內任一點所處的以光纖中心為圓心的同心圓與第二包層6外邊緣之間的距離，a₇、b₇為過渡系數，a₇的取值范圍為0.1%～0.4%，b₇的取值范圍為-1.3%～-0.3%。