[發明專利]一種光刻膠及其制作方法、使用方法在審
| 申請號: | 201410036953.3 | 申請日: | 2014-01-26 |
| 公開(公告)號: | CN103941544A | 公開(公告)日: | 2014-07-23 |
| 發明(設計)人: | 汪建國 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/075 | 分類號: | G03F7/075;G03F7/16 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 光刻 及其 制作方法 使用方法 | ||
技術領域
本發明涉及光刻膠領域,尤其涉一種光刻膠及其制作方法、使用方法。?
背景技術
光刻膠是大規模集成電路工業中進行光刻過程的關鍵功能材料。光刻膠經紫外光照射后,發生一系列化學反應,使得曝光前后光刻膠在顯影液中的溶解速率產生變化,再經過顯影、堅膜、蝕刻和去膜等過程就能夠將特定的高精度圖形轉移到待加工的基板表面。?
隨著大規模集成電路工業的飛速發展,集成電路產品及品種的多樣化,光刻工藝的不斷改進,對光刻工藝過程中使用的關鍵材料,特別是光刻膠的要求更高,種類及性能更多樣化、專業化。?
現有的技術,在光刻膠的制作過程中,需要先將含硅丙烯酸酯類單體與不含硅單體聚合形成含硅聚合物作為成膜樹脂,該聚合反應困難,產率有限,故此類含硅成膜樹脂成本較高,大大限制其實際使用。?
發明內容
本發明的實施例提供一種光刻膠及其制作方法、使用方法,可以降低生產成本,廣泛應用于實際生產中。?
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:?
一種光刻膠的制作方法,包括:?
按照質量配比,將1~90份的含羥基或含羧基的成膜樹脂,1~99份的含硅乙烯基醚化合物,溶解在能夠溶解上述物質的有機溶劑中。?
可選的,所述含羥基的成膜樹脂包括:含酚羥基的成膜樹脂。?
可選的,所述方法還包括:按照所述質量配比,加入光產酸劑以及染料共0.1~10份。?
可選的,按照所述質量配比,所述有機溶劑為200-400份。?
可選的,所述方法包括:按照質量配比,將1~5份的含酚羥基或含羧基的成膜樹脂,5~9份的含硅乙烯基醚化合物,光產酸劑以及染料共0.5~0.8份,溶解在300~340份的有機溶劑中。?
可選的,所述方法還包括:按照所述質量配比,加入0.1~15份?的交聯劑。?
可選的,所述交聯劑的結構簡式包括:?
其中,所述交聯劑的結構簡式中的R1為C1-C8的烷基,R2為H或CH3。?
可選的,所述含羧基的成膜樹脂包括:側鏈上含有羧基的線性酚醛類樹脂、含有羧基的聚丙烯酸酯類樹脂和聚乙烯醇縮醛羧酸酐酯化樹脂中的至少一種。?
可選的,所述側鏈上含有羧基的線性酚醛類樹脂的結構通式為:?
所述側鏈上含有羧基的線性酚醛類樹脂的結構通式中x為0-2,n為2-15,p為0-13,R1為H或C1-C9的烷基。?
可選的,所述含硅乙烯基醚化合物的結構通式為:?
所述含硅乙烯基醚化合物的結構通式中n為2-10,m為1-600,R1為C1-C9的烷基。?
可選的,所述的光產酸劑包括鎓鹽類、芳茂鐵類、硫酸肟鹽類或三嗪類光產酸劑中的至少一種。?
一種光刻膠,按照質量配比,所述光刻膠包括:1~90份的含羥基或含羧基的成膜樹脂,1~99份的含硅乙烯基醚單體,以及能夠溶解上述物質的有機溶劑。?
可選的,按照所述質量配比,所述有機溶劑為200-400份。?
可選的,按照質量配比,所述光刻膠中還包括:光產酸劑以及染料共0.1~10份。?
可選的,按照質量配比,所述光刻膠中還包括:0.1~15份的交聯劑。?
一種光刻膠的使用方法,包括:?
將上述的光刻膠形成在待處理的基板上;?
使所述光刻膠中含羥基或含羧基的成膜樹脂,與含硅乙烯基醚化合物反應,生成含硅醚化物光刻膠薄膜;?
進行曝光,在光產酸劑的作用下,釋放出堿溶性羧基或者使含硅醚化物中的Si-OR基團優先與交聯劑發生交聯反應;?
在顯影液中顯影,得到顯影圖案。?
本發明實施例提供的光刻膠及其制作方法、使用方法,使用含羥基或羧基的成膜樹脂與含硅乙烯基醚化合物進行物理配制,形成光刻膠,這樣將該光刻膠涂敷在基板上,在對光刻膠進行前烘時的高溫下,含酚羥基或羧基的成膜樹脂與含硅乙烯基醚化合物可以自行反應結合而成新型含硅的成膜樹脂,從而免去了現有技術中的單獨合成含硅聚合物成膜樹脂的步驟,節約了成本,且容易實現,可以被廣泛應用于實際生產中。?
附圖說明
圖1為本發明實施例提供的一種正性光刻膠的制作方法流程示意圖;?
圖2為本發明實施例提供的一種光刻膠的使用方法流程示意圖;?
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