[發明專利]導線鍵合機和校準導線鍵合機的方法有效
| 申請號: | 201410036589.0 | 申請日: | 2014-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN103972116B | 公開(公告)日: | 2017-04-12 |
| 發明(設計)人: | 宋景耀;李衛華;王屹濱 | 申請(專利權)人: | 先進科技新加坡有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京申翔知識產權代理有限公司11214 | 代理人: | 周春發 |
| 地址: | 新加坡義*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 導線 鍵合機 校準 方法 | ||
1.一種導線鍵合機,該導線鍵合機包含有:
處理器;
鍵合頭,其和處理器相耦接,該處理器被配置來控制鍵合頭的移動;
鍵合工具,其安裝在鍵合頭上,該鍵合工具被鍵合頭驅動,以使用鍵合導線在半導體晶粒和襯底之間形成電性互連,該半導體晶粒被安裝在襯底上;以及
測量設備,其和鍵合頭相耦接,該測量設備被操作來測量當鍵合工具被鍵合頭驅動以通過鍵合局部將鍵合導線連接至半導體晶粒時鍵合導線的鍵合局部的形變;
其中,該處理器被配置來:
獲得被測量的鍵合局部的形變和導線鍵合機的操作參數之間的至少一個相互關系;
將所獲得的至少一個相互關系與導線鍵合機的操作參數和期望的鍵合局部的形變之間的預定的相互關系進行比較;以及
根據鍵合局部的形變相對于導線鍵合機的操作參數的所獲得的至少一個相互關系和預定的相互關系之間的比較結果,校準導線鍵合機的操作參數。
2.如權利要求1所述的導線鍵合機,其中,該處理器被配置來通過轉換因子來校準導線鍵合機的操作參數。
3.如權利要求1所述的導線鍵合機,其中,該導線鍵合機的操作參數是傳遞自鍵合頭以在半導體晶粒和襯底之間形成電性互連的超聲波電流。
4.如權利要求1所述的導線鍵合機,其中,該導線鍵合機的操作參數是傳遞自鍵合頭以在半導體晶粒和襯底之間形成電性互連的鍵合力。
5.如權利要求1所述的導線鍵合機,其中,該導線鍵合機的操作參數是鍵合局部的形變設定。
6.如權利要求5所述的導線鍵合機,其中,該形變設定包含有超聲波電流和鍵合力的組合,超聲波電流和鍵合力二者可被操作來傳遞自鍵合頭以在半導體晶粒和襯底之間形成電性互連。
7.如權利要求1所述的導線鍵合機,其中,該導線鍵合機的操作參數是導線鍵合機的XY平臺的振動設定。
8.如權利要求1所述的導線鍵合機,其中,該測量設備為位置編碼器。
9.如權利要求8所述的導線鍵合機,其中,該位置編碼器被配置來測量鍵合局部沿著垂直軸線上的形變。
10.一種校準導線鍵合機的方法,該導線鍵合機包含有:處理器;鍵合頭;鍵合工具,其被鍵合頭驅動,以使用鍵合導線在半導體晶粒和襯底之間形成電性互連,該半導體晶粒被安裝在襯底上;測量設備,其被操作來測量當鍵合工具被鍵合頭驅動以通過鍵合局部將鍵合導線連接至半導體晶粒時形成在鍵合導線的鍵合局部的形變;該方法包含有以下步驟:
獲得被測量的鍵合局部的形變和導線鍵合機的操作參數之間的至少一個相互關系;
將所獲得的至少一個相互關系與導線鍵合機的操作參數和期望的鍵合局部的形變之間的預定的相互關系進行比較;以及
根據鍵合局部的形變相對于導線鍵合機的操作參數的所獲得的至少一個相互關系和預定的相互關系之間的比較結果,校準導線鍵合機的操作參數。
11.如權利要求10所述的方法,其中,校準導線鍵合機的操作參數的步驟包括使用轉換因子。
12.如權利要求10所述的方法,其中,該導線鍵合機的操作參數是傳遞自鍵合頭以在半導體晶粒和襯底之間形成電性互連的超聲波電流。
13.如權利要求10所述的方法,其中,該導線鍵合機的操作參數是傳遞自鍵合頭以在半導體晶粒和襯底之間形成電性互連的鍵合力。
14.如權利要求10所述的方法,其中,該導線鍵合機的操作參數是鍵合局部的形變設定。
15.如權利要求14所述的方法,其中,該形變設定包含有超聲波電流和鍵合力的組合,超聲波電流和鍵合力二者可被操作來傳遞自鍵合頭以在半導體晶粒和襯底之間形成電性互連。
16.如權利要求10所述的方法,其中,該導線鍵合機的操作參數是導線鍵合機的XY平臺的振動設定。
17.如權利要求10所述的方法,其中,該測量設備為位置編碼器。
18.如權利要求17所述的方法,其中,獲得被測量的鍵合局部的形變和導線鍵合機的操作參數之間的至少一個相互關系的步驟包括:使用該位置編碼器來測量鍵合局部沿著垂直軸線上的形變。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





