[發(fā)明專利]使用柔性基板實(shí)現(xiàn)三維層間垂直互連的結(jié)構(gòu)及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410036444.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-01-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103887275A | 公開(公告)日: | 2014-06-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉豐滿;曹立強(qiáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/498 | 分類號(hào): | H01L23/498;H01L23/552;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 11302 | 代理人: | 劉杰 |
| 地址: | 100029 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 使用 柔性 板實(shí) 三維 垂直 互連 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
1.一種使用柔性基板實(shí)現(xiàn)三維層間垂直互連結(jié)構(gòu),其特征在于,包括第一印制電路板、第二印制電路板、第一器件、第二器件、焊球及塑封層;
所述第一印制電路板為柔性印制電路板或剛?cè)峤Y(jié)合性印制電路板;
所述第一印制電路板的下部開有凹槽;
所述第二器件安裝在所述第二印制電路板的上方;所述第一印制電路板固定在所述第二印制電路板的上方,且所述第二器件設(shè)置在所述凹槽中;
所述第一器件固定在所述第一印制電路板的上方;所述塑封層覆蓋在所述第一印制電路板、第二印制電路板及所述第一器件的外側(cè);
所述焊球設(shè)置在所述第二印制電路板的底部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用柔性基板實(shí)現(xiàn)三維層間垂直互連結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二印制電路板為剛性印制電路板、柔性印制電路板或IC載板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用柔性基板實(shí)現(xiàn)三維層間垂直互連結(jié)構(gòu),其特征在于,所述剛?cè)峤Y(jié)合性印制電路板的柔性部分設(shè)置在剛性部分的上部、下部或中間位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用柔性基板實(shí)現(xiàn)三維層間垂直互連結(jié)構(gòu),其特征在于,所述凹槽為方形形狀。
5.一種使用柔性基板實(shí)現(xiàn)三維層間垂直互連的結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,包括:
選取或制造第一印制電路板及第二印制電路板,所述第一印制電路板為柔性印制電路板或剛?cè)峤Y(jié)合性印制電路板;在所述第一印制電路板的下部開設(shè)凹槽;
將第二器件安裝在所述第二印制電路板上;
采用焊料、各向異性導(dǎo)電膠、各項(xiàng)異性導(dǎo)電焊膏或各向異性導(dǎo)電膠與各項(xiàng)異性導(dǎo)電焊膏的混合物,將所述第一印制電路板與所述第二印制電路板進(jìn)行垂直互連,互連后所述第二器件位于所述凹槽中;
將第一器件安裝在所述第一印制電路板上;
對(duì)所述第一印制電路板及所述第一器件的外部進(jìn)行灌封;
在所述第二印制電路板的下部的引腳位置植球,用于對(duì)外互連。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的使用柔性基板實(shí)現(xiàn)三維層間垂直互連的結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述第二印制電路板為剛性印制電路板、柔性印制電路板或IC載板。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的使用柔性基板實(shí)現(xiàn)三維層間垂直互連的結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述焊料為各項(xiàng)異性導(dǎo)電膠、有鉛焊料、無鉛焊料或金錫焊料。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的使用柔性基板實(shí)現(xiàn)三維層間垂直互連的結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,安裝所述第一器件及所述第二器件時(shí),采用普通的SMT工藝、Wire-Bonding工藝或Flip-Chip工藝。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司,未經(jīng)中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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