[發(fā)明專利]一種帶隙寬度可調(diào)的鋁銦氧化物薄膜材料及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410036256.8 | 申請日: | 2014-01-26 |
| 公開(公告)號: | CN103789745A | 公開(公告)日: | 2014-05-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬瑾;李釗;欒彩娜 | 申請(專利權(quán))人: | 山東大學(xué) |
| 主分類號: | C23C16/34 | 分類號: | C23C16/34 |
| 代理公司: | 濟(jì)南金迪知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37219 | 代理人: | 楊磊 |
| 地址: | 250100 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 寬度 可調(diào) 氧化物 薄膜 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種帶隙寬度可調(diào)的鋁銦氧化物薄膜材料,具有如下通式:Al2xIn2-2xO3,式中x為Al/(Al+In)原子比,x=0.1~0.9。?
2.如權(quán)利要求1所述的帶隙寬度可調(diào)的鋁銦氧化物薄膜材料,其特征在于,隨x從0.1增加到0.9,所得薄膜材料的光學(xué)帶隙寬度從3.71增大到5.80eV。?
3.如權(quán)利要求1所述的帶隙寬度可調(diào)的鋁銦氧化物薄膜材料,其特征在于,當(dāng)0.1≤x≤0.5時(shí)薄膜具有立方In2O3的結(jié)構(gòu),當(dāng)0.5<x≤0.9時(shí)薄膜具有微晶或非晶結(jié)構(gòu)。?
4.一種帶隙寬度可調(diào)的鋁銦氧化物薄膜材料的制備方法,采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相淀積(MOCVD)法,襯底為MgO單晶片,在襯底上生長鋁銦氧化物薄膜,步驟如下:?
(1)將MOCVD反應(yīng)室抽真空至5×10-4-8×10-4Pa,開啟襯底加熱電源,使襯底溫度為600~800℃;?
(2)向真空反應(yīng)室通入氮?dú)夂脱鯕猓獨(dú)庾鳛楸尘癗2,氧氣作為氧化氣體,使氧氣摩爾流量為1.34×10-3~3.57×10-3mol/min,氮?dú)饽柫髁繛?.23×10-2mol/min;使氮?dú)夂脱鯕饬髁糠€(wěn)定;?
(3)以三甲基鋁[Al(CH3)3]和三甲基銦[In(CH3)3]為有機(jī)金屬源,氮?dú)鉃檩d氣。設(shè)定質(zhì)量流量計(jì)流量、有機(jī)金屬源瓶的壓力和源瓶的溫度,打開有機(jī)金屬源閥門,保持5-10分鐘,使流量穩(wěn)定;使有機(jī)金屬鋁源和有機(jī)金屬銦源的流量分別為:?
有機(jī)金屬源Al(CH3)3摩爾流量0.39~3.48μmol/min,有機(jī)金屬源In(CH3)3摩爾流量0.39~3.48μmol/min;?
(4)將步驟(3)所述的有機(jī)金屬源載氣通入真空反應(yīng)室,在襯底上進(jìn)行薄膜生長過程,反應(yīng)室壓強(qiáng)為10~40Torr,生長溫度600~800℃,生長時(shí)間為0.5~2.5小時(shí);?
(5)反應(yīng)結(jié)束,關(guān)閉有機(jī)金屬源瓶和氧氣,持續(xù)用氮?dú)鉀_洗10~20分鐘。?
5.如權(quán)利要求4所述的帶隙寬度可調(diào)的鋁銦氧化物薄膜材料的制備方法,其特征在于,所述的氮?dú)夂脱鯕饩鶠楦呒儦怏w,高純氮?dú)狻⒏呒冄鯕獾募兌葹?9.999%以上。?
6.如權(quán)利要求4所述的帶隙寬度可調(diào)的鋁銦氧化物薄膜材料的制備方法,其特征在于,工藝條件如下:?
有機(jī)金屬源Al(CH3)3的摩爾流量選自:0.39μmol/min,0.77μmol/min,1.16μmol/min,1.55μmol/min,1.93μmol/min,2.32μmol/min,2.71μmol/min,3.09μmol/min,或3.48μmol/min;與此對應(yīng)的,?
有機(jī)金屬源In(CH3)3的摩爾流量選自:3.48μmol/min,3.09μmol/min,2.71μmol/min,?2.32μmol/min,1.93μmol/min,1.55μmol/min,1.16μmol/min,0.77μmol/min,或0.39μmol/min;?
生長時(shí)間????1.0h。?
7.如權(quán)利要求6所述的帶隙寬度可調(diào)的鋁銦氧化物薄膜材料的制備方法,其特征在于,控制有機(jī)金屬源的摩爾流量,分別獲得以下不同鋁銦摩爾比Al2xIn2-2xO3材料:?
。
8.如權(quán)利要求7所述的帶隙寬度可調(diào)的鋁銦氧化物薄膜材料的制備方法,其特征在于,所得鋁銦氧化物薄膜的帶隙寬度隨Al/(Al+In)原子比x的增加而增大,對當(dāng)x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6,0.7,0.8,0.9時(shí),對應(yīng)的帶隙寬度分別是:3.71,3.92,4.23,4.27,4.81,5.29,5.42,5.63或5.80,單位:eV。?
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





