[發明專利]濺射鍍膜的方法

無效

• 申請號: 201410036067.0
• 申請日: 2014-01-25
• 公開（公告）號: CN103774107A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 張迅;張伯倫;李景艷;易偉華
• 申請（專利權）人: 江西沃格光電股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

1.一種濺射鍍膜的方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供基板，將所述基板放置于定位托盤中；

將放置有基板的所述定位托盤傳送入臥式濺射室中；以及

在所述臥式濺射室中，采用磁控濺射在所述基板上鍍膜。

2.根據權利要求1所述的濺射鍍膜的方法，其特征在于，所述將所述基板放置于定位托盤中的步驟之前還包括對所述基板進行清洗和干燥的步驟，所述清洗和干燥的步驟為：將所述基板依次用純水和堿液清洗后，再依次進行二流體噴淋、純水噴淋和高壓噴淋，然后依次用冷風和熱風干燥。

3.根據權利要求1所述的濺射鍍膜的方法，其特征在于，所述將放置有基板的所述定位托盤傳送入臥式濺射室中的步驟是采用光電感應傳送系統將放置有基板的所述定位托盤傳送入臥式濺射室中。

4.根據權利要求1所述的濺射鍍膜的方法，其特征在于，所述將放置有基板的所述定位托盤傳送入臥式濺射室中的步驟之前，還包括依次將放置有基板的所述定位托盤依次傳送入第一過渡室和第一緩沖室的步驟。

5.根據權利要求1所述的濺射鍍膜的方法，其特征在于，所述在所述臥式濺射室中，采用磁控濺射在所述基板上鍍膜的步驟后，還包括依次將放置有基板的所述定位托盤從所述臥式濺射室中傳送出來，并依次傳送入第二緩沖室和第二過渡室的步驟。

6.根據權利要求1所述的濺射鍍膜的方法，其特征在于，所述臥式濺射室包括第一濺射腔室和第二濺射腔室，所述在所述臥式濺射室中，采用磁控濺射在所述基板上鍍膜的步驟中，依次在所述第一濺射腔室和第二濺射腔室中，采用磁控濺射在所述基板上鍍膜。

7.根據權利要求1所述的濺射鍍膜的方法，其特征在于，所述在所述臥式濺射室中，采用磁控濺射在所述基板上鍍膜的步驟中，所述基板的溫度為80℃～100℃。

8.根據權利要求1所述的濺射鍍膜的方法，其特征在于，所述在所述臥式濺射室中，采用磁控濺射在所述基板上鍍膜的步驟中，真空度為2.5*10^-1Pa～3.50*10^-3Pa。

9.根據權利要求1所述的濺射鍍膜的方法，其特征在于，所述在所述臥式濺射室中，采用磁控濺射在所述基板上鍍膜的步驟中，所述基板的運行速度為1.0m/min～1.4m/min。

10.根據權利要求1所述的濺射鍍膜的方法，其特征在于，所述在所述臥式濺射室中，采用磁控濺射在所述基板上鍍膜的步驟中，濺射電壓為300V～380V。