[發明專利]顯示裝置有效
| 申請號： | 201410035960.1 | 申請日： | 2010-11-11 |
| 公開（公告）號： | CN103746001B | 公開（公告）日： | 2017-05-03 |
| 發明（設計）人： | 山崎舜平 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038 | 代理人： | 劉倜 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置，包括：
第一柵電極；
在所述第一柵電極上的第一柵極絕緣膜；
在所述第一柵極絕緣膜上的氧化物半導體膜；
源電極和漏電極，所述源電極和漏電極電連接至所述氧化物半導體膜；
在所述源電極、漏電極和氧化物半導體膜上的第二柵極絕緣膜；
在所述第二柵極絕緣膜上的第二柵電極；以及
在所述第二柵極絕緣膜上的有機樹脂膜；
其中，所述有機樹脂膜與所述第二柵電極不重疊，并且
其中，所述氧化物半導體膜的氫濃度小于1×1016cm-3。
2.一種顯示裝置，包括：
第一柵電極；
在所述第一柵電極上的第一柵極絕緣膜；
在所述第一柵極絕緣膜上的氧化物半導體膜，所述氧化物半導體膜包括溝道區域，所述溝道區域包括銦、鋅和鎵；
在所述氧化物半導體膜上的第二柵極絕緣膜；以及
在所述第二柵極絕緣膜上的第二柵電極，其中所述第二柵電極與所述第一柵電極以所述氧化物半導體膜插于其間的方式重疊；
其中，所述溝道區域包括結晶區，在該結晶區中，c軸取向在與所述氧化物半導體膜的表面基本垂直的方向，并且
其中，所述氧化物半導體膜的氫濃度小于1×1016cm-3。
3.一種顯示裝置，包括：
第一柵電極；
在所述第一柵電極上的第一柵極絕緣膜；
在所述第一柵極絕緣膜上的氧化物半導體膜，所述氧化物半導體膜包括溝道區域，所述溝道區域包括銦、鋅和鎵；
在所述氧化物半導體膜上的源電極和漏電極，其中所述源電極和漏電極電連接至所述氧化物半導體膜；
在所述氧化物半導體膜上的第二柵極絕緣膜；
在所述第二柵極絕緣膜上的第二柵電極，其中所述第二柵電極與所述第一柵電極以所述氧化物半導體膜插于其間的方式重疊；
在所述第二柵極絕緣膜上的有機樹脂膜，其中所述有機樹脂膜與所述第二柵電極不重疊；以及
在所述有機樹脂膜上的像素電極，
其中，所述溝道區域包括結晶區，在該結晶區中，c軸取向在與所述氧化物半導體膜的表面基本垂直的方向，并且
其中，所述氧化物半導體膜的氫濃度小于1×1016cm-3。
4.一種顯示裝置，包括：
第一柵電極；
在所述第一柵電極上的第一柵極絕緣膜；
在所述第一柵極絕緣膜上的氧化物半導體膜，所述氧化物半導體膜包括溝道區域，所述溝道區域包括銦、鋅和鎵；
源電極和漏電極，所述源電極和漏電極電連接至所述氧化物半導體膜；
在所述氧化物半導體膜上的第二柵極絕緣膜；
在所述第二柵極絕緣膜上的第二柵電極，其中所述第二柵電極與所述第一柵電極以所述氧化物半導體膜插于其間的方式重疊；以及
像素電極，其中所述像素電極電連接至所述源電極和所述漏電極中的一方，
其中，所述溝道區域包括微晶，并且所述微晶的顆粒尺寸等于或小于4nm，并且
其中，所述氧化物半導體膜的氫濃度小于1×1016cm-3。
5.根據權利要求4所述的顯示裝置，其中，所述微晶的顆粒尺寸等于或大于2nm。
6.根據權利要求4所述的顯示裝置，還包括在所述像素電極上的發光層。
7.根據權利要求4所述的顯示裝置，還包括在所述像素電極上的液晶層。
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