[發(fā)明專利]柵氧化層的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410035958.4 | 申請日： | 2014-01-24 |
| 公開（公告）號： | CN104810263B | 公開（公告）日： | 2018-11-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 聞?wù)h;馬萬里;趙文魁 | 申請（專利權(quán)）人： | 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人： | 劉芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氧化 制造 方法 | ||
1.一種柵氧化層的制造方法，其特征在于，包括：
在第一溫度和氧氣的存在下，在襯底表面形成初始氧化層；
在第二溫度下，氮氣或惰性氣體的存在下，將表面形成初始氧化層的襯底進行第一退火處理，所述第二溫度高于所述第一溫度；
在第一溫度以及氧氣和氯化氫的存在下，在所述初始氧化層表面形成主體氧化層；
在所述初始氧化層表面形成主體氧化層之后還包括：在第二溫度和氯化氫的存在下，氮氣或惰性氣體的氣氛中，將經(jīng)上述處理的襯底進行第二退火處理；
在襯底表面形成初始氧化層之前還包括：將所述襯底預(yù)熱至第三溫度并保溫，再升溫至所述第一溫度；
所述第一溫度為800-900℃；
所述第二溫度為1000-1200℃；
進行所述第一退火處理的時長為10-30min，進行第二退火處理的時長為10-30min；
所述初始氧化層的厚度為
所述柵氧化層的厚度為
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第二溫度下，所述氯化氫的流量為0.1-0.5L/min，所述氮氣或惰性氣體的流量為5-12L/min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在第一溫度以及氧氣和氯化氫的存在下，在所述初始氧化層表面形成主體氧化層，其中所述氯化氫的流量為0.1-0.2L/min，所述氧氣的流量為8-12L/min。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
