[發(fā)明專利]P溝道注入效率增強(qiáng)型絕緣柵雙極型晶體管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410035881.0
• 申請(qǐng)日: 2014-01-24
• 公開（公告）號(hào): CN103779404A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫偉鋒;楊卓;陳健;郭超;祝靖;陸生禮;時(shí)龍興
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東南大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/739
• 分類號(hào): H01L29/739;H01L29/06
• 代理公司: 江蘇永衡昭輝律師事務(wù)所 32250
• 代理人: 王斌

1.一種P溝道注入效率增強(qiáng)型絕緣柵雙極型晶體管，包括：N型襯底(1)，在N型襯底(1)上設(shè)有埋氧(2)，在埋氧(2)上設(shè)有P型外延層(3)，在P型外延層(3)的內(nèi)部設(shè)有P型緩沖阱(14)和第二N型體區(qū)(5)，在P型緩沖阱(14)內(nèi)設(shè)有N型集電極區(qū)(13)，在第二N型體區(qū)(5)中設(shè)有重?fù)诫sN型發(fā)射極區(qū)(18)和P型發(fā)射極區(qū)(6)，在P型外延層(3)的表面設(shè)有柵氧化層(9)和場(chǎng)氧化層(12)且柵氧化層(9)的一端和場(chǎng)氧化層(12)的一端相抵，所述柵氧化層(9)的另一端向P型發(fā)射極區(qū)(6)延伸并止于P型發(fā)射極區(qū)(6)，所述場(chǎng)氧化層(12)的另一端向N型集電極區(qū)(13)延伸并止于P型緩沖阱(14)，在柵氧化層(9)的表面設(shè)有多晶硅柵(10)且多晶硅柵(10)延伸至場(chǎng)氧化層(12)的上表面，在場(chǎng)氧化層(12)、P型發(fā)射極區(qū)(6)、第二N型體區(qū)(5)、多晶硅柵(10)、N型集電極區(qū)(13)和P型緩沖阱(14)表面設(shè)有鈍化層(8)，在N型集電極區(qū)(13)表面連接有第一金屬層(15)，在多晶硅柵(10)表面連接有第二金屬層(11)，在重?fù)诫sN型發(fā)射極區(qū)(18)和P型發(fā)射極區(qū)(6)表面連接有第三金屬層(7)，其特征在于，在P型外延層(3)的內(nèi)部設(shè)有第一N型體區(qū)(4)和P型體區(qū)(16)，并且，所述第二N型體區(qū)(5)位于P型體區(qū)(16)上方且所述第二N型體區(qū)(5)被P型體區(qū)(16)包圍，所述第一N型體區(qū)(4)位于多晶硅柵(10)的下方，所述第一N型體區(qū)(10)的一個(gè)邊界與P型體區(qū)(16)?的一個(gè)邊界相接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的P溝道注入效率增強(qiáng)型絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，第一N型體區(qū)(4)與埋氧(2)的邊界可以相連或不相連；第一N型體區(qū)(4)與柵氧化層(9)的邊界可以相連或不相連。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的P溝道注入效率增強(qiáng)型絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于第一N型體區(qū)(4)不與第二N型體區(qū)(5)相連，第一N型體區(qū)(4)不與場(chǎng)氧化層（12）相連。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的P溝道注入效率增強(qiáng)型絕緣柵雙極型晶體管，當(dāng)?shù)谝籒型體區(qū)(4)與柵氧化層(9)的下邊界相連時(shí)，第一N型體區(qū)(4)的濃度低于第二N型體區(qū)(5)的濃度。