[發明專利]一種金屬層上含鉭薄膜的刻蝕方法

有效

• 申請號: 201410035345.0
• 申請日: 2014-01-24
• 公開（公告）號: CN104810241B
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 邱鵬;張挺
• 申請（專利權）人: 上海矽睿科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/311
• 代理公司: 上海金盛協力知識產權代理有限公司 31242
• 代理人: 王松

1.一種金屬層上含鉭薄膜的刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕方法包括：

步驟S1、將帶有含鉭薄膜的基片放入電感耦合反應離子刻蝕機臺的反應腔室中；該電感耦合反應離子刻蝕機臺的電感耦合包括兩個功率控制單元，即源極功率控制單元和偏置功率控制單元；所述偏置功率控制單元的功率控制在30W；

步驟S2、向反應腔室中通入反應氣體，包括20～50sccm Cl₂、30～100sccm BCl₃、10～30sccm N₂、50～200sccm Ar；

步驟S3、將反應腔室壓力控制在50mTorr ，溫度控制在35℃；

步驟S4、用偏置功率控制單元的偏置功率30瓦對基片進行刻蝕，源極功率根據刻蝕速率的需要調整，功率和刻蝕速率成正比；

步驟S5、經過設定時間的刻蝕反應，得到含有少量副產品的成型基片，所述副產品主要為鉭的聚合物，降低后續清潔的難度；

步驟S6、刻蝕后的清洗：清潔氣體為氧氣O₂；步驟S6具體包括：

步驟S61、將干法刻蝕后的器件放入有各向同性刻蝕功能的腔室中；

步驟S62、向該腔室中通入清潔氣體氧氣O₂；

步驟S63、控制所述腔室的溫度在100℃，控制所述腔室的壓力在1.5Torr；

步驟S64、用500瓦功率的等離子體對基片進行低能反應刻蝕，去除器件表面和側壁的含有鉭的聚合物。