[發明專利]一種雙模式低噪聲放大器

有效

• 申請號: 201410035310.7
• 申請日: 2014-01-24
• 公開（公告）號: CN103746661B
• 公開（公告）日: 2017-01-18
• 發明（設計）人: 張長春;高申俊;王德波;張鵬;郭宇鋒
• 申請（專利權）人: 南京郵電大學
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司32200
• 代理人: 葉連生

1.一種雙模式低噪聲放大器，其特征在于，該放大器包含低噪聲放大器LNA核心電路和雙模式開關可控的復制型偏置電路，且開關可控的復制型偏置電路為核心電路提供所需的所有偏置；通過控制開關可控的復制型偏置電路的開關S來使LNA核心電路工作于不同的兩種狀態，即高增益模式和高線性度模式；其中，當開關S的不動端c連接開關S的動端a時，LNA工作于高線性度模式；當開關S的不動端c連接開關S的觸點動端b時，LNA工作于高增益模式。

2.如權利要求1所述的一種雙模式低噪聲放大器，其特征在于所述LNA核心電路中，第一NMOS管（NM1）漏極與第三NMOS管（NM3）源極相連；第二NMOS管（NM2）漏極與第四NMOS管（NM4）源極相連；第三NMOS管（NM3）漏極與第一PMOS管（PM1）漏極相連；第四NMOS管（NM4）漏極與第二PMOS管（PM2）漏極相連；第三NMOS管（NM3）的柵極及NM4的柵極分別與第一電阻（R1）、第二電阻（R2）的一端相連；第一電阻（R1）、第二電阻（R2）的另一端接電源電壓（VDD）；第一PMOS管（PM1）的源極、第二PMOS管（PM2）的源極分別與電源電壓（VDD）相連；第一PMOS管（PM1）、第二PMOS管（PM2）的柵極分別接第三偏置電壓（Vbias3）；第一NMOS管（NM1）源極與柵極間連接第一電容（C1），第一NMOS管（NM1）源極與第一電感（L1）一端相連；第二NMOS管（NM2）源極與柵極間連接第二電容（C2）；第二NMOS管（NM2）源極與第二電感（L2）一端相連；第一電感（L1）另一端、第二電感（L2）另一端分別與作為全差分電路尾電流源的第五NMOS管（NM5）的漏極相連；第五NMOS管（NM5）源極接地，第五NMOS管（NM5）柵極接第五電阻（R5）的一端，第五電阻（R5）另一端接第二偏置電壓（Vbias2）；第一NMOS管（NM1）柵極與第三電感（L3）一端相連，第三電感（L3）另一端接輸入信號并與第三電阻（R3）一端相連，第三電阻（R3）另一端接第一偏置電壓（Vbias1）；第二NMOS管（NM2）柵極與第四電感（L4）一端相連，第四電感（L4）另一端接輸入信號并與第四電阻（R4）一端相連，第四電阻（R4）另一端接第一偏置電壓（Vbias1）；第三電容（C3）一端分別與第二NMOS管（NM2）漏極及第四NMOS管（NM4）源極相連，第三電容（C3）另一端與第三NMOS管（NM3）的柵極相連；第四電容（C4）的一端分別與第一NMOS管（NM1）的漏極及第三NMOS管（NM3）的源極相連，第四電容（C4）另一端與第四NMOS管（NM4）的柵極相連；共模反饋電路（CMFB）正極與全差分電路的差分輸出信號的正輸出端連接，負極與差分輸出信號的負輸出端連接，共模反饋電路（CMFB）的輸出與第五NMOS管（NM5）的柵極相連。

3.如權利要求1所述的一種雙模式低噪聲放大器，其特征在于所述雙模式開關可控的復制型偏置電路中，第七NMOS管（NM7）漏極與第九NMOS管（NM9）源極相連；第八NMOS管（NM8）漏極與第十NMOS管（NM10）源極相連；第九NMOS管（NM9）漏極與第三PMOS管（PM3）的漏極相連；第十NMOS管（NM10）漏極與第四PMOS管（PM4）的漏極相連；第九NMOS管（NM9）柵極、第十NMOS管（NM10）柵極分別與第六電阻（R6）、第七電阻（R7）的一端相連；第六電阻（R6）、第七電阻（R7）的另一端以及第三PMOS管（PM3）、第四PMOS管（PM4）的源極分別與電源（VDD）相連；第三PMOS管（PM3）柵極源第四PMOS管（PM4）柵極相連同時連接第三偏置電壓（Vbias3）；第三PMOS管（PM3）的柵極與漏極相連；第七NMOS管（NM7）柵極與第八NMOS管（NM8）柵極相連同時接第一偏置（Vbias1）；第七NMOS管（NM7）源極與第十一NMOS管（NM11）漏極相連；第八NMOS管（NM8）源極與第十二NMOS管（NM12）漏極相連；第十一NMOS管（NM11）柵極、第十二NMOS管（NM12）柵極與第六NMOS管（NM6）柵極相連同時接第二偏置電壓（Vbias2）；第十一NMOS管（NM11）源極、第十二NMOS管（NM12）源極、第六NMOS管（NM6）源極都接地；第六NMOS管（NM6）柵極與漏極相連同時漏極與基準電流源（Iref）相連；基準電流源（Iref）的另一端接電源；單刀雙擲開關（S）的動端a端與第八NMOS管（NM8）漏極相連、動端b端與第十二NMOS管（NM12）柵極相連、不動端c端與第八NMOS管（NM8）柵極相連。