[發(fā)明專(zhuān)利]三維集成的多層堆疊結(jié)構(gòu)微屏蔽MEMS濾波器組

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410034441.3
• 申請(qǐng)日: 2014-01-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103779642A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郁元衛(wèi);侯芳;朱健
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所
• 主分類(lèi)號(hào): H01P1/207
• 分類(lèi)號(hào): H01P1/207;B81B7/02
• 代理公司: 南京君陶專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 32215
• 代理人: 沈根水

1.三維集成的多層堆疊結(jié)構(gòu)微屏蔽MEMS濾波器組，其特征是包括A濾波器、B濾波器；所述的A濾波器包括A襯底和B襯底，其中在A襯底上表面沉積金屬形成A微波耦合線諧振器、A信號(hào)引入傳輸線、A信號(hào)引出傳輸線及A接地金屬面；將A襯底上表面和B襯底下表面對(duì)準(zhǔn)，利用MEMS對(duì)準(zhǔn)鍵合工藝形成A濾波器；所述的B濾波器包括C襯底和D襯底，在C襯底上表面上沉積金屬形成B微波耦合線諧振器、B信號(hào)引入傳輸線、B信號(hào)引出傳輸線及B接地金屬面，將C襯底上表面和D襯底下表面對(duì)準(zhǔn)，利用MEMS對(duì)準(zhǔn)鍵合工藝形成B濾波器；制作時(shí)，將A濾波器的B襯底上表面與B濾波器的C襯底下表面對(duì)準(zhǔn)，利用MEMS對(duì)準(zhǔn)鍵合工藝制成一體，并在A微波耦合線諧振器和B微波耦合線諧振器外側(cè)區(qū)域由D襯底至A襯底自上而下刻蝕接地通孔陣列，對(duì)該接地通孔陣列進(jìn)行電鍍?cè)谕讉?cè)壁沉積金屬，最終實(shí)現(xiàn)三維集成的多層堆疊結(jié)構(gòu)微屏蔽MEMS濾波器的制作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維集成的多層堆疊結(jié)構(gòu)微屏蔽MEMS濾波器組，其特征是所述的A襯底上表面、B襯底下表面上沉積金屬形成A微波耦合線諧振器、A信號(hào)引入傳輸線、A信號(hào)引出傳輸線及A接地金屬面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維集成的多層堆疊結(jié)構(gòu)微屏蔽MEMS濾波器組，其特征是所述的A襯底與A微波耦合線諧振器之間的襯底自上而下利用微機(jī)械部分刻蝕形成A襯底刻蝕腔，刻蝕深度為100μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維集成的多層堆疊結(jié)構(gòu)微屏蔽MEMS濾波器組，其特征是所述的B襯底與A微波耦合線諧振器之間的襯底下表面自下而上利用微機(jī)械部分刻蝕形成B襯底刻蝕腔，刻蝕深度為100μm，B襯底刻蝕腔與A襯底刻蝕腔對(duì)準(zhǔn)形成A濾波器的A密封腔；所述的D襯底與B微波耦合線諧振器之間的襯底下表面自下而上的利用微機(jī)械部分刻蝕形成D襯底刻蝕腔，刻蝕深度為100μm；D襯底刻蝕腔與C襯底刻蝕腔對(duì)準(zhǔn)形成B濾波器的B密封腔。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維集成的多層堆疊結(jié)構(gòu)微屏蔽MEMS濾波器組，其特征是所述的B襯底下表面上的A信號(hào)輸入傳輸線和A信號(hào)引出傳輸線的中心位置分別刻蝕形成A輸入通孔和A輸出通孔，刻蝕深度為360μm；B襯底上表面的A輸入通孔、A輸出通孔、B輸入通孔和B輸出通孔的位置處沉積金屬分別形成A信號(hào)輸入傳輸線、A信號(hào)輸出傳輸線、B信號(hào)輸入傳輸線、B信號(hào)輸出傳輸線；?所述的A輸入通孔和A輸出通孔電鍍?cè)谕讉?cè)壁沉積金屬；對(duì)A襯底下表面沉積電鍍金屬。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維集成的多層堆疊結(jié)構(gòu)微屏蔽MEMS濾波器組，其特征是所述的C襯底與B微波耦合線諧振器之間的襯底自上而下利用反應(yīng)離子刻蝕形成C襯底刻蝕腔，刻蝕深度為100μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維集成的多層堆疊結(jié)構(gòu)微屏蔽MEMS濾波器組，其特征是所述的C襯底上表面上的B信號(hào)引入傳輸線和B信號(hào)引出傳輸線的中心位置分別刻蝕形成B輸入通孔和B輸出通孔，刻蝕深度為360μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維集成的多層堆疊結(jié)構(gòu)微屏蔽MEMS濾波器組，其特征是所述的C襯底下表面上的A輸入通孔、A輸出通孔、B輸入通孔和B輸出通孔的位置處沉積金屬分別形成A信號(hào)輸入傳輸線、A信號(hào)輸出傳輸線、B信號(hào)輸入傳輸線、B信號(hào)輸出傳輸線；B輸入通孔和B輸出通孔電鍍?cè)谕讉?cè)壁沉積金屬；所述的D襯底上表面沉積電鍍金屬。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維集成的多層堆疊結(jié)構(gòu)微屏蔽MEMS濾波器組，其特征是所述的A襯底1、B襯底、C襯底和D襯底的襯底材料的厚度均為360μm，電阻率為3000Ω·cm的高阻硅。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維集成的多層堆疊結(jié)構(gòu)微屏蔽MEMS濾波器組，其特征是所述的A濾波器的通帶為7.6-9.4GHz，損耗小于2.0dB，反射損耗小于-15dB，在6.6GHz、10GHz頻點(diǎn)的帶外抑制小于-40dB，?B濾波器的通帶為8.6-10.4GHz，損耗小于2.0dB，反射損耗小于-15dB，在7.4GHz、11.4GHz頻點(diǎn)的帶外抑制小于-40dB。