[發明專利]一種過氧化氫非酶電化學傳感器及制備方法

在審

• 申請號: 201410033932.6
• 申請日: 2014-01-24
• 公開（公告）號: CN103792271A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 張勤芳;陸偉華;廖開明;王保林
• 申請（專利權）人: 蘇州新銳博納米科技有限公司;鹽城工學院
• 主分類號: G01N27/30
• 分類號: G01N27/30
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249
• 代理人: 陳建和

1.過氧化氫非酶電化學傳感器，其特征是利用H₂O₂存在下化學電極的響應檢測H₂O₂；所述化學電極是一對貴金屬納米顆粒修飾的電極；所述貴金屬是金、銀、鉑、鈀或銥。

2.根據權利要求1所述的過氧化氫非酶電化學傳感器，其特征是貴金屬納米顆粒修飾的電極是由束流沉積的方法在電極材料上沉積貴金屬納米顆粒，所述的納米粒子沉積中，控制納米顆粒沉積量在0.3層以上，在5層以內；采用玻碳電極材料或納米石墨烯作為電極材料。

3.根據權利要求1所述的過氧化氫非酶電化學傳感器，其特征是控制納米顆粒沉積量0.5-0.7層。

4.根據權利要求1-3之一所述的過氧化氫非酶電化學傳感器的制備方法，其特征是采用納米粒子束流加工方法來制造其核心電極；步驟如下：

準備電極材料，對電極材料進行處理；采用束流沉積的方法在電極材料上沉積貴金屬納米顆粒，控制納米顆粒沉積量在0.3層以上，在5層以內，以保證足夠的孔隙率。納米顆粒沉積量尤其是0.5-0.7層。

5.根據權利要求4所述的過氧化氫非酶電化學傳感器的制備方法，其特征是先對電極材料做刻蝕后沉積金屬顆粒，或將金屬顆粒沉積在納米電極材料上，之后移植到電極上，電極材料采用玻碳電極材料或納米石墨烯材料。

6.根據權利要求4所述的過氧化氫非酶電化學傳感器的制備方法，其特征是所述的束流沉積的方法是納米粒子加工方法，一般采用差分抽氣方法形成束流；其Ar氣濃度在10Pa-500Pa之間，束流量在0.1～5A/s。

7.根據權利要求4所述的過氧化氫非酶電化學傳感器的制備方法，其特征是所述對電極材料進行處理是采用離子刻蝕或者化學腐蝕的方法對電極材料處理提高電極孔隙率。

8.根據權利要求4所述的過氧化氫非酶電化學傳感器的制備方法，其特征是玻碳電極的預處理與活化，依次用細金相砂紙、0.3～0.05μm氧化鋁粉逐級拋光，將其打磨至鏡面，洗去表面污物后，移入超聲水浴中清洗2～3min；隨后將電極放入0.5mol?L^-1H₂SO₄溶液中用循環伏安法活化，所得循環伏安圖中的峰電位差在80mV以下，并盡可能接近64mV，再使用電極。

9.根據權利要求8所述的過氧化氫非酶電化學傳感器的制備方法，其特征是采用納米顆粒束流源：將系統真空度達到1×10^-3Pa以上，采用差分真空形成在空中飛行的Ag納米粒子束流，將Ag納米顆粒束流引至玻碳電極，沉積至0.7層；在玻碳電極上施加1000V以上的電壓提高納米顆粒附著力。