[發明專利]一種片式阻容網絡模塊及其制造方法有效
| 申請號: | 201410033392.1 | 申請日: | 2014-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN103780218B | 公開(公告)日: | 2017-09-05 |
| 發明(設計)人: | 楊俊鋒;莊嚴;莊彤;李杰成;丁明健 | 申請(專利權)人: | 廣州天極電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H03H9/15 | 分類號: | H03H9/15;H03H3/02 |
| 代理公司: | 廣州圣理華知識產權代理有限公司44302 | 代理人: | 李唐明 |
| 地址: | 510288 廣東省廣州市海珠區大干*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 片式阻容 網絡 模塊 及其 制造 方法 | ||
1.一種片式阻容網絡模塊,其特征在于:包括片式電阻器、電容器和介于電容器和電阻器之間的粘結物,所述電阻器包括電阻陶瓷基板、附著與所述電阻陶瓷基板下表面的電阻下電極、附著與電阻陶瓷基板上表面的電阻體和附著于電阻陶瓷基板上表面且互相分離設置在所述電阻體兩端的第一電阻上電極、第二電阻上電極,所述電容器包括電容陶瓷基板、附著與所述電容陶瓷基板上表面的電容上電極和附著于所述電容陶瓷基板下表面的電容下電極;
所述電阻器為片式電阻器,為一個或一個以上,通過粘結物粘結在所述電容器上表面;
所述電容陶瓷基板的介電常數為9.6~50000;
所述電阻下電極、第一電阻上電極、第二電阻上電極、電容上電極和電容下電極包括一層或一層以上金屬層,所述金屬層為金、鈦/金、鈦/銅/金、鎢化鈦/金、鎢化鈦/鎳/金、鉻化鎳/金或鉻化鎳/鎳/金的單一金屬層或復合金屬層;
該片式阻容網絡模塊制造方法包括以下步驟:
步驟一:在電容陶瓷基板的上下兩個表面,通過濺射、蒸發或印刷工藝,制備出電容上電極和電容下電極;
步驟二:將制備好上下電極的電容陶瓷基板按設計的尺寸,劃切成一塊一塊的電容器;
步驟三:對劃切出的電容器進行容量、介質損耗、絕緣電阻、耐電壓和外觀的分選,挑選出性能符合要求的電容器;
步驟四:在電阻陶瓷基板的上表面,通過濺射或蒸發工藝,制備出電阻體和所述電阻體兩端的第一電阻上電極、第二電阻上電極;
步驟五:在電阻陶瓷基板的下表面,通過濺射或蒸發或印刷工藝,制備出附著于電阻陶瓷基板下表面的電阻下電極;
步驟六:對制備好上下電極的電阻陶瓷基板的第一電阻上電極、第二電阻上電極和電阻體進行光刻刻蝕,制備出上電極圖形和電阻體圖形;
步驟七:對制備好上電極圖形和電阻體圖形的電阻陶瓷基板按設計的尺寸劃切,得到一塊一塊的片式電阻器;
步驟八:對劃切出的片式電阻器進行阻值和外觀的分選,挑選出性能粉盒要求的片式電阻器;
步驟九:在電容器的電容上電極表面,通過印刷、涂覆或粘貼工藝制備粘結物;
步驟十:在粘結物表面貼上片式電阻器,與電容器結合為一體,然后置于加熱爐中進行加熱,控制溫度在150℃-400℃之間,加熱時間控制在25秒-180秒之間;
步驟十一:從加熱爐中取出粘結有電容器的片式電阻器并冷卻,即得由片式電阻器和電容器組成的片式阻容網絡模塊。
2.如權利要求1所述的片式阻容網絡模塊,其特征在于,所述電阻陶瓷基板為氧化鋁、氮化鋁、氧化鈹、鐵氧體、二氧化鋁或微晶玻璃陶瓷基板。
3.如權利要求1所述的片式阻容網絡模塊,其特征在于,所述電阻體為氮化鉭、鉻化鎳或者硅化鎳電阻體,且為矩形。
4.如權利要求1所述的片式阻容網絡模塊,其特征在于,所述粘結物為導電膠、焊料或焊膏。
5.如權利要求1所述的片式阻容網絡模塊的制造方法,其特征在于:所述電阻下電極、第一電阻上電極、第二電阻上電極、電容上電極和電容下電極表面的金層可根據需要電鍍加厚到2.5微米~5.0微米。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廣州天極電子科技有限公司,未經廣州天極電子科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410033392.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





