[發明專利]一種大功率半橋模塊

有效

• 申請號: 201410033293.3
• 申請日: 2014-01-24
• 公開（公告）號: CN103779341A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 金曉行;呂鎮
• 申請（專利權）人: 嘉興斯達微電子有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/498;H01L23/373
• 代理公司: 杭州九洲專利事務所有限公司 33101
• 代理人: 翁霽明

1.一種大功率半橋模塊，它包括有一塊散熱基板，在該散熱基板上至少粘結有四個絕緣基板，其特征在于所述絕緣基板上通過回流軟釬焊接或擴散焊接或銀粉焊接方式分別粘結有功率芯片和二極管芯片，且所述功率芯片和二極管芯片的表面和絕緣基板之間用鍵合鋁線電氣連接；所述的絕緣基板上用超聲波鍵合方式連接有四根功率端子，其中兩根分別表示上管負極和下管正極的功率端子連接于外部的一根母線；另兩根分別表示一個低電位和一個高電位的功率端子連接于外部的另一根母線；每個功率端子一端連接兩個絕緣基板，一端引出連接外部母線；每個絕緣基板通過一個腳引出到功率端子，兩個絕緣基板并聯通過功率端子引出，四個功率端子組成一個半橋模塊。

2.根據權利要求1所述的大功率半橋模塊，其特征在于所述的絕緣基板并排位于散熱基板上面，絕緣基板通過功率端子引出形成半橋電路結構，且每塊絕緣基板上包含有一個單獨的半橋電路結構。

3.根據權利要求1或2所述的大功率半橋模塊，其特征在于所述的絕緣基板由Al2O3,ALN,Si3N4的陶瓷材料制成，在所述絕緣基板的兩側覆有0.1-0.3mm厚度的銅。

4.根據權利要求1或2所述的大功率半橋模塊，其特征在于所述的散熱基板是由銅,AiSiC,?CuSiC制成的一個平的、3-5mm厚度的基板。

5.根據權利要求4所述的大功率半橋模塊，其特征在于散熱基板設置有六個安裝孔。