[發(fā)明專利]異質(zhì)結(jié)太陽能電池及其界面處理方法和制備工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410032530.4
• 申請日: 2014-01-23
• 公開（公告）號: CN103762276A
• 公開（公告）日: 2014-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭萬武
• 申請（專利權(quán)）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/072;H01L31/0747
• 代理公司: 常州市科誼專利代理事務(wù)所 32225
• 代理人: 孫彬

1.一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池的界面處理方法，其特征在于：在異質(zhì)結(jié)太陽能電池制備工藝中，采用離子注入工藝或擴(kuò)散工藝對晶體硅片的正表面進(jìn)行高摻雜處理，從而在晶體硅片正表面上形成一層重?fù)诫s層（6），改變異質(zhì)結(jié)太陽能電池的晶體硅片表面區(qū)域的費(fèi)米能級，增加內(nèi)建電場。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的界面處理方法，其特征在于：所述的重?fù)诫s層（6）的厚度為1~3nm。

3.一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備工藝，其特征在于該工藝的步驟如下：

1）以晶體硅片作為晶體硅襯底（5），并對其表面進(jìn)行清洗；

2）接著對晶體硅襯底（5）的正表面采用如權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的界面處理方法進(jìn)行處理，制備重?fù)诫s層（6）；

3）在晶體硅襯底（5）背面沉積一層背面緩沖鈍化層（41）；

4）在背面緩沖鈍化層（41）的下表面上沉積與晶體硅襯底（5）具有相同導(dǎo)電類型的重?fù)诫s背表面場層（3）；

5）在重?fù)诫s層（6）的上表面沉積一層正面緩沖鈍化層（42），并在正面緩沖鈍化層（42）的上表面上沉積與晶體硅襯底（5）具有相反導(dǎo)電類型的摻雜發(fā)射極層（7）；

6）在摻雜發(fā)射極層（7）的上表面制備正面透明導(dǎo)電薄膜層（8），在重?fù)诫s背表面場層（3）的下表面上制備背面透明導(dǎo)電薄膜層（2），然后在正面透明導(dǎo)電薄膜層（8）的上表面制備正面金屬電極（9），在背面透明導(dǎo)電薄膜層（2）的下表面制備背面金屬電極（1）。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備工藝，其特征在于：所述的晶體硅襯底（5）為單晶硅片或多晶硅片。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備工藝，其特征在于：所述的正面緩沖鈍化層（42）和背面緩沖鈍化層（41）均為本征非晶硅薄膜或本征微晶硅薄膜或由氧化硅薄膜和硅基薄膜組成的疊層薄膜結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備工藝，其特征在于：所述的摻雜發(fā)射極層（7）為微晶態(tài)摻雜薄膜或非晶態(tài)摻雜薄膜或過渡相結(jié)構(gòu)的硅基摻雜薄膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備工藝，其特征在于：所述的正面透明導(dǎo)電薄膜層（8）和背面透明導(dǎo)電薄膜層（2）均為摻錫氧化銦薄膜或摻鎢氧化銦薄膜。

8.一種如權(quán)利要求3所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備工藝所制備的異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于：它自下而上依次為背面金屬電極（1）、背面透明導(dǎo)電薄膜層（2），重?fù)诫s背表面場層（3）、背面緩沖鈍化層（41）、晶體硅襯底（5）、重?fù)诫s層（6）、正面緩沖鈍化層（42）、摻雜發(fā)射極層（7）、正面透明導(dǎo)電薄膜層（8）和正面金屬電極（9）。