[發(fā)明專利]一種新型霍爾測試方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410032498.X | 申請日： | 2014-01-23 |
| 公開（公告）號： | CN103794526A | 公開（公告）日： | 2014-05-14 |
| 發(fā)明（設計）人： | 馮巍;杜全鋼;郭永平;謝小剛;李維剛;姜煒;蔣建 | 申請（專利權）人： | 新磊半導體科技（蘇州）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京思海天達知識產(chǎn)權代理有限公司 11203 | 代理人： | 張慧 |
| 地址： | 215151 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 新型 霍爾 測試 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種新型霍爾效應測試方法，其特征在于：所述被測試樣品結構包括金屬點電極（1）、表面帽層（2）、溝道層（3）、襯底（4）；測試方法步驟如下，
S1將外延片切片成霍爾測試樣品，在正面制備金屬點電極（1），將樣品放進快速熱退火爐中進行合金，使得金屬電極（1）與溝道層（3）形成歐姆接觸；
S2利用濕法腐蝕去除霍爾樣品的表面帽層（2），使器件內(nèi)部的溝道層（3）中的載流子成為霍爾樣品電導中的決定性因素；
S3將樣品接入四探針霍爾測試系統(tǒng)進行測試；襯底（4）是半絕緣的，對霍爾樣品的電導沒有貢獻，它的存在不影響測量結果，襯底（4）僅對外延薄膜提供支撐作用；
霍爾測試的外延片樣品是由在線生產(chǎn)中抽查的外延片腐蝕加工獲得，可采用濕法腐蝕去除表面帽層（2），然后合金制成霍爾測試樣品。
2.一種新型霍爾效應測試方法，其特征在于：所述霍爾測試樣品為正方形標準結構。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
