[發(fā)明專利]一種鋁刻蝕方法及裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410032415.7
• 申請日: 2014-01-23
• 公開（公告）號: CN104810279B
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李方華
• 申請（專利權(quán)）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 李迪

1.一種鋁刻蝕方法，其特征在于，包括：

利用濕法刻蝕具有光刻膠層的鋁層；

利用干法去除所述鋁層中殘留的硅渣，并立即在同一個腔內(nèi)對所述鋁層進行干法刻蝕；

其中，在所述利用濕法刻蝕具有光刻膠層的鋁層之后，且在所述利用干法去除所述鋁層中殘留的硅渣之前，還包括：

利用紫外光照射所述光刻膠層100至150秒，并加熱至120至140攝氏度固膠。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁刻蝕方法，其特征在于，所述利用干法去除所述鋁層中殘留的硅渣包括：

將氧氣及四氟化碳混合氣體通入所述鋁層表面，使腔內(nèi)壓力達到35至45mtorr；利用射頻將所述混合氣體電離，形成含氟、氧的等離子氣體；令所述含氟、氧的等離子氣體與鋁層中殘留的硅渣反應(yīng)4至6分鐘，抽去反應(yīng)后殘留氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鋁刻蝕方法，其特征在于，所述對所述鋁層進行干法刻蝕包括：

將氯氣、三氯化硼和三氟甲烷混合氣體通入所述鋁層表面；待壓力穩(wěn)定后利用射頻將所述混合氣體電離，直至反應(yīng)完成。

4.一種鋁刻蝕系統(tǒng)，其特征在于，包括：濕法刻蝕單元和干法除硅渣刻蝕單元，其中：

濕法刻蝕單元，用于利用濕法刻蝕具有光刻膠層的鋁層；

干法除硅渣刻蝕單元，用于利用干法去除所述鋁層中殘留的硅渣，并立即在同一個腔內(nèi)對所述鋁層進行干法刻蝕；

固膠單元，連接在濕法刻蝕單元和干法除硅渣刻蝕單元之間，用于利用紫外光照射所述光刻膠層100至150秒，并加熱至120至140攝氏度固膠。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鋁刻蝕系統(tǒng)，其特征在于，所述干法除硅渣刻蝕單元包括：

除硅渣子單元，用于利用干法去除所述鋁層中殘留的硅渣：將氧氣及四氟化碳混合氣體通入所述鋁層表面，使腔內(nèi)壓力達到35至45mtorr；利用射頻將所述混合氣體電離，形成含氟、氧的等離子氣體；令所述含氟、氧的等離子氣體與鋁層中殘留的硅渣反應(yīng)4至6分鐘，抽去反應(yīng)后殘留氣體。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鋁刻蝕系統(tǒng)，其特征在于，所述干法除硅渣刻蝕單元包括：

干法刻蝕子單元，用于對所述鋁層進行干法刻蝕：將氯氣、三氯化硼和三氟甲烷混合氣體通入所述鋁層表面；待壓力穩(wěn)定后利用射頻將所述混合氣體電離，直至反應(yīng)完成。

7.根據(jù)權(quán)利要求4至6中任一項所述的鋁刻蝕系統(tǒng)，其特征在于，所述干法除硅渣刻蝕單元為：各向異性刻蝕機臺。

8.根據(jù)權(quán)利要求4至6中任一項所述的鋁刻蝕系統(tǒng)，其特征在于，所述干法除硅渣刻蝕單元為：AME8330。