[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201410032264.5
• 申請日: 2014-01-23
• 公開（公告）號: CN103792741A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 徐智強;金熙哲;徐超
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，包括陣列排布的多個像素單元，每個所述像素單元包括多個子像素單元，每個所述子像素單元的寬度相等，每個所述子像素單元對應一個第一電極，每個所述第一電極包括多個等間隔設置的條狀結構，其特征在于，

每個所述像素單元中不同子像素單元對應的所述第一電極的條狀結構的間隔不完全相等；

任意一個所述子像素單元滿足Q·W+(Q-1)D<A，其中，所述A為所述子像素單元的寬度，所述Q為所述子像素單元對應的所述第一電極的條狀結構的個數，所述D為所述子像素單元對應的所述第一電極的條狀結構的間隔，所述W為所述子像素單元對應的所述第一電極的條狀結構的寬度。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

每個所述像素單元中包括三個子像素單元，分別為紅子像素單元，綠子像素單元，藍子像素單元，每個子像素單元對應的所述第一電極的條狀結構的個數Q為3；

其中，所述紅子像素單元對應的第一電極的條狀結構的間隔為d₁；

所述綠子像素單元對應的第一電極的條狀結構的間隔為d₂；

所述藍子像素單元對應的第一電極的條狀結構的間隔為d₃；

所述d₁，所述d₂和所述d₃滿足d₁=d₂<d₃。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，

所述d₁為4um，所述d₂為4um，所述d₃為6um。

4.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，

所述d₁為4.5um，所述d₂為4.5um，所述d₃為6.5um。

5.一陣顯示裝置，其特征在于，包括：

權利要求1至權利要求4任意一項權利要求所述的陣列基板。

6.一種陣列基板的制備方法，所述陣列基板包括陣列排布的多個像素單元，每個所述像素單元包括多個子像素單元，每個所述子像素單元的寬度相等，每個所述子像素單元對應一個第一電極，每個所述第一電極包括多個等間隔設置的條狀結構，其特征在于，所述方法包括：

針對任意一個子像素單元，在形成有薄膜晶體管TFT結構的基板上沉積第一透明導電薄膜層，通過一次構圖工藝形成所述第一電極；

其中，每個所述像素單元中不同子像素單元對應的所述第一電極的條狀結構的間隔不完全相等；

任意一個所述子像素單元滿足Q·W+(Q-1)D<A，其中，所述A為所述子像素單元的寬度，所述Q為所述子像素單元對應的所述第一電極的條狀結構的個數，所述D為所述子像素單元對應的所述第一電極的條狀結構的間隔，所述W為所述子像素單元對應的所述第一電極的條狀結構的寬度。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述在形成有薄膜晶體管TFT結構的基板上沉積第一透明導電薄膜層，通過一次構圖工藝形成所述第一電極包括：

在形成有薄膜晶體管TFT的基板上沉積第二透明導電薄膜層，通過一次構圖工藝形成第二電極；

在形成有所述第二電極的基板上形成鈍化層；

在形成有所述鈍化層的基板上沉積第一透明導電薄膜層，通過一次構圖工藝形成所述第一電極。

8.根據權利要求6或7所述的方法，其特征在于，

每個所述像素單元中包括三個子像素單元，分別為紅子像素單元，綠子像素單元，藍子像素單元，每個子像素單元對應的所述第一電極的條狀結構的個數Q為3；

其中，所述紅子像素單元對應的第一電極的條狀結構的間隔為d₁；

所述綠子像素單元對應的第一電極的條狀結構的間隔為d₂；

所述藍子像素單元對應的第一電極的條狀結構的間隔為d₃；

所述d₁，所述d₂和所述d₃滿足d₁=d₂<d₃。