[發明專利]有機發光二極管裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201410031207.5 | 申請日: | 2014-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN103985817B | 公開(公告)日: | 2017-09-22 |
| 發明(設計)人: | 金南珍;樸澈桓 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司11286 | 代理人: | 薛義丹,韓芳 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發光二極管裝置,所述有機發光二極管裝置包括:
基板;
有機發光二極管單元,形成在基板的一部分上;
第一阻擋物,在基板上設置在有機發光二極管單元的外部;
第二阻擋物,在基板上設置在第一阻擋物的外部;以及
薄膜包封層,形成為覆蓋有機發光二極管單元,
其中,薄膜包封層具有一個或多個無機層和一個或多個有機層交替層疊的多層結構,
其中,薄膜包封層包括位于有機發光二極管單元上的第一無機層,其中,第一無機層形成在第一阻擋物的內部。
2.如權利要求1所述的有機發光二極管裝置,其中,有機發光二極管單元包括順序地形成在所述基板的一部分上方的第一電極、有機發射層和第二電極。
3.如權利要求1所述的有機發光二極管裝置,其中,有機層和無機層的數量分別在2層到20層之間。
4.如權利要求1所述的有機發光二極管裝置,其中,第一阻擋物的高度等于或低于薄膜包封層中的一個或多個無機層中的離有機發光二極管單元最遠的無機層的高度。
5.如權利要求1所述的有機發光二極管裝置,其中,形成第一阻擋物和第二阻擋物的材料是有機材料或無機材料。
6.如權利要求5所述的有機發光二極管裝置,其中,有機材料包括光致抗蝕劑、聚丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂或者丙烯酸樹脂中的一種或多種。
7.如權利要求5所述的有機發光二極管裝置,其中,無機材料包括硅化合物。
8.一種制造有機發光二極管裝置的方法,所述方法包括:在基板上形成有機發光二極管單元;形成薄膜包封層,以覆蓋有機發光二極管單元,
其中,形成有機發光二極管單元的步驟包括:
在基板上形成無機絕緣層;
在無機絕緣層上形成第一電極;
在形成有第一電極的無機絕緣層上形成被構造為使第一電極逐個像素地分隔開的像素限定層;
形成與第一電極分隔開的第一阻擋物;
在第一阻擋物的外部形成第二阻擋物;
在逐個像素地分隔開的第一電極上形成有機發光層;
在有機發光層上形成第二電極,
其中,形成薄膜包封層的步驟包括:
在形成有機發光二極管的基底上形成第一無機層;
在第一無機層上形成有機層,
在有機層上形成第二無機層,
其中,第一無機層形成在第一阻擋物的內部。
9.如權利要求8所述的制造方法,其中,形成第一阻擋物的步驟和形成第二阻擋物的步驟與形成像素限定層的步驟同時執行。
10.如權利要求8所述的制造方法,其中,第一阻擋物的高度等于或低于多個無機層中離有機發光二極管單元最遠的無機層的高度。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星顯示有限公司,未經三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410031207.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種籃式研磨機用研磨室
- 下一篇:一種減振鋼支座
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





