[發明專利]等離子體處理裝置及等離子體處理方法有效
| 申請號: | 201410030630.3 | 申請日: | 2014-01-22 |
| 公開(公告)號: | CN104241071B | 公開(公告)日: | 2017-03-01 |
| 發明(設計)人: | 森本未知數;安井尚輝;大越康雄 | 申請(專利權)人: | 株式會社日立高新技術 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32;H05H1/46 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司11021 | 代理人: | 王亞愛 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子體 處理 裝置 方法 | ||
1.一種等離子體處理裝置,具備:
真空容器;
第一高頻電源,其供應用于在所述真空容器內生成等離子體的第一高頻電力;
樣品臺,其配置于所述真空容器內,用于載置樣品;
第二高頻電源,其對所述樣品臺供應第二高頻電力;以及
匹配器,其抑制所述第二高頻電力的反射電力,
所述等離子體處理裝置的特征在于,
在對所述第一高頻電力和所述第二高頻電力進行時間調制的情況下,所述匹配器在采樣有效期間內采樣用于進行匹配的信息,該采樣有效期間設為從以所述時間調制后的第二高頻電力的導通開始時間作為開始時間的給定時間經過后起至所述時間調制后的第二高頻電力的導通結束時間為止的期間,且從所述導通結束時間后起至下一采樣有效期間為止,進行控制來維持在所述采樣有效期間內所進行的匹配狀態。
2.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置,其特征在于,
將所述給定時間設為所述第二高頻電力的峰峰值即Vpp穩定所需的時間。
3.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置,其特征在于,
將所述給定時間設為所述等離子體的發光強度穩定所需的時間。
4.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置,其特征在于,
將所述給定時間設為等離子體密度穩定所需的時間。
5.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置,其特征在于,
將對所述第二高頻電力進行時間調制的頻率設為所述匹配器的采樣頻率的整數倍。
6.一種等離子體處理裝置,具備:
真空容器;
第一高頻電源,其供應用于在所述真空容器內生成等離子體的第一高頻電力;
樣品臺,其配置于所述真空容器內,用于載置樣品;
第二高頻電源,其對所述樣品臺供應第二高頻電力;以及
匹配器,其抑制所述第二高頻電力的反射電力,
所述等離子體處理裝置的特征在于,
在對所述第一高頻電力和所述第二高頻電力進行時間調制的情況下,所述匹配器在從所述時間調制后的第二高頻電力的導通結束時間起至給定時間前為止的期間、即采樣有效期間內采樣用于進行匹配的信息,且從所述導通結束時間后起至下一采樣有效期間為止,進行控制來維持在所述采樣有效期間內所進行的匹配狀態。
7.根據權利要求6所述的等離子體處理裝置,其特征在于,
將對所述第二高頻電力進行時間調制的頻率設為所述匹配器的采樣頻率的整數倍。
8.一種利用了等離子體處理裝置的等離子體處理方法,該等離子體處理裝置具備:
真空容器;
第一高頻電源,其供應用于在所述真空容器內生成等離子體的第一高頻電力;
樣品臺,其配置于所述真空容器內,用于載置樣品;
第二高頻電源,其對所述樣品臺供應第二高頻電力;以及
匹配器,其抑制所述第二高頻電力的反射電力,
所述等離子體處理方法的特征在于,
對所述第一高頻電力和所述第二高頻電力進行時間調制,
在從所述時間調制后的第二高頻電力的導通結束時間起至給定時間前為止的期間、即采樣有效期間內采樣用于進行匹配的信息,且從所述導通結束時間后起至下一采樣有效期間為止,維持在所述采樣有效期間內所進行的匹配狀態,以進行所述匹配器的匹配。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社日立高新技術,未經株式會社日立高新技術許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410030630.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一體化加工裝置
- 下一篇:掃描頭及運用此掃描頭的掃描臂





