[發明專利]一種雙柵極光電薄膜晶體管、像素電路及像素陣列

有效

• 申請號: 201410030072.0
• 申請日: 2014-01-22
• 公開（公告）號: CN103762251A
• 公開（公告）日: 2014-04-30
• 發明（設計）人: 王凱;陳軍;歐海
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L27/146
• 代理公司: 廣州新諾專利商標事務所有限公司 44100
• 代理人: 華輝

1.一種雙柵極光電薄膜晶體管，其特征在于包括：

基板；

暗柵極，設置在該基板上；該暗柵極由金屬或金屬合金制作；

第一介電層，設置在該基板上并覆蓋住該暗柵極；

源極與漏極，設置在該第一介電層上并對應地與該第一介電層的兩端相接觸；

溝道層，設置在該第一介電層上并覆蓋該源極與該漏極；

第二介電層，設置在該溝道層上；

光柵極，設置于該第二介電層上；

其中，該光柵極由導電的透明電極材料制作。

2.根據權利要求1所述的一種雙柵極光電薄膜晶體管，其特征在于：該基板為玻璃或塑料基板。

3.根據權利要求2所述的一種雙柵極光電薄膜晶體管，其特征在于：該光柵極包含銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁摻雜氧化鋅或薄膜金屬，該暗柵極包含鉬、鉻或者鋁等或其合金。

4.根據權利要求3所述的一種雙柵極光電薄膜晶體管，其特征在于：該溝道層由非晶硅或其它半導體薄膜材料制作形成。

5.根據權利要求4所述的一種雙柵極光電薄膜晶體管，其特征在于：該第一介電層與該第二介電層由氧化硅薄膜或氮化硅薄膜材料制作形成。

6.根據權利要求5所述的一種雙柵極光電薄膜晶體管，其特征在于：該第一介電層與該第二介電層的厚度范圍為10納米到1微米。

7.根據權利要求6所述的一種雙柵極光電薄膜晶體管，其特征在于：該溝道層的厚度范圍為五十納米到一個微米。

8.根據權利要求7所述的一種雙柵極光電薄膜晶體管，其特征在于：還包括設置在光柵極上的增透膜，該增透膜為單層或多層結構。

9.一種雙柵極光電薄膜晶體管，其特征在于包括：

基板，該基板為玻璃基板；

光柵極，設置于該基板上；

第一介電層，設置于該基板上并覆蓋住該光柵極；

源極與漏極，設置在該第一介電層上并對應地與該第一介電層的兩端相接觸；

溝道層，設置于該第一介電層上并覆蓋該源極與該漏極；

第二介電層，設置于該溝道層上；

暗柵極，設置于該第二介電層上；

其中，該光柵極由導電的透明電極材料制作，該暗柵極由金屬或金屬合金制作。

10.一種像素電路，其特征在于：該像素電路包括如權利要求1至權利要求9中任一權利要求所述的雙柵極光電薄膜晶體管、重置端、讀取端、偏置端以及數據輸出端；該重置端與晶體管的光柵極電連接，該讀取端與晶體管的暗柵極電連接，該偏置端與晶體管的源極電連接，該數據輸出端與晶體管的漏極電連接。

11.根據權利要求10所述的一種像素電路，其特征在于：該晶體管的源極與暗柵極短接。

12.一種像素陣列，其特征在于：包括多個如權利要求11中所述的一種像素電路，每個像素電路的晶體管對應一個像素點；其中，同一行像素電路的重置端相互電連接；同一行像素電路的讀取端相互電連接；同一列像素電路的數據輸出端相互電連接；掃描時，讀取端選擇需掃描像素點的行，數據輸出端輸出每一列中被選擇的像素的信號。