[發明專利]水熱法生長CuI單晶的礦化劑及CuI晶體生長方法

在審

• 申請號: 201410029601.5
• 申請日: 2014-01-23
• 公開（公告）號: CN103741203A
• 公開（公告）日: 2014-04-23
• 發明（設計）人: 陳達貴;黃豐;林璋;黃嘉魁
• 申請（專利權）人: 中國科學院福建物質結構研究所
• 主分類號: C30B7/10
• 分類號: C30B7/10;C30B29/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于水熱法生長CuI單晶的礦化劑及CuI晶體生長方法，其特征在于：所述的礦化劑為氯化銨和溴化銨的混合物，其中溴化銨的含量為0～90%之間，該礦化劑溶于水所形成的礦化劑水溶液可以應用于水熱法生長CuI晶體。

2.如權利要求1所述的一種用于水熱法生長CuI單晶的礦化劑及CuI晶體生長方法，其特征在于：所述的CuI晶體的生長方法為水熱法，包括如下步驟：將CuI粉末培養料放入高壓釜下部的溶解區，將CuI籽晶放入高壓釜的上部生長區，往高壓釜中加入權利要求1所述的礦化劑的水溶液，溶質摩爾濃度為0.3～6.0mol/L。控制溶解區溫度為100～250℃，生長區的溫度為80～230℃，使溶解區的溫度高于生長區的溫度，控制溫差為20～80℃，工作壓力為1.0～50MPa，恒溫生長，最后降溫開釜，即得到CuI晶體。

3.根據權利要求1和2所述的一種用于水熱法生長CuI單晶的礦化劑及CuI晶體生長方法，其特征在于：所述的礦化劑水溶液的在高壓釜中的填充度為50～90％。

4.根據權利要求2所述的一種用于水熱法生長CuI單晶的礦化劑及CuI晶體生長方法，其特征在于：所述的溶解區溫度優選為200～220℃。

5.根據權利要求2所述的一種用于水熱法生長CuI單晶的礦化劑及CuI晶體生長方法，其特征在于：所述的生長區溫度優選為160～180℃。

6.根據權利要求2所述的CuI單晶體的生長方法，其特征在于：所述的溫差優選為30～50℃。