[發明專利]用于工藝腔室的基臺及其控制方法、托盤及其設計方法

有效

• 申請號: 201410029395.8
• 申請日: 2014-01-22
• 公開（公告）號: CN103726034B
• 公開（公告）日: 2017-01-25
• 發明（設計）人: 向東;夏煥雄;楊旺;牟鵬;張瀚;王偉;劉學平
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: C23C16/52
• 分類號: C23C16/52;C23C16/458
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙)11201
• 代理人: 張大威

1.一種用于工藝腔室的基臺，其特征在于，包括：

絕緣隔熱層，所述絕緣隔熱層在同一平面上組成多個相互絕緣和/或隔熱的子區域；

多個子基底，所述多個子基底分別設置在所述多個相互絕緣和/或隔熱的子區域中；

控制裝置，所述控制裝置用于對所述多個子基底的溫度和/或功率進行控制。

2.根據權利要求1所述的用于工藝腔室的基臺，其特征在于，所述控制裝置包括:

多個溫度控制單元，所述多個溫度控制單元分別與所述多個子基底一一對應布置；

第一控制器，所述第一控制器與所述多個溫度控制單元相連。

3.根據權利要求2所述的用于工藝腔室的基臺，其特征在于，所述溫度控制單元包括：

加熱棒，所述加熱棒布置在對應的所述子基底內；

溫度傳感器，所述溫度傳感器布置在對應的所述子基底內；

冷卻模塊，所述冷卻模塊布置在所述加熱棒之下；

其中，所述第一控制器分別與所述多個控制單元的所述加熱棒、溫度傳感器和冷卻模塊相連，所述第一控制器用于通過所述溫度傳感器獲取對應的所述子基底的溫度，并通過所述加熱棒對對應的所述子基底進行加熱，及通過所述冷卻模塊對對應的所述子基底進行冷卻。

4.根據權利要求1所述的用于工藝腔室的基臺，其特征在于，所述控制裝置包括：

多個功率控制單元，所述多個功率控制單元分別與所述多個子基底一一對應布置；

第二控制器，所述第二控制器與所述多個功率控制單元相連。

5.根據權利要求4所述的用于工藝腔室的基臺，其特征在于，所述功率控制單元包括：

可調電阻電容，所述可調電阻電容與所述子基底一一對應連接；

阻抗檢測單元，所述阻抗檢測單元與所述可調電阻電容相連；

第二控制器，所述第二控制器分別與所述多個功率控制單元的所述可調電阻電容和所述阻抗檢測單元相連，所述第二控制器用于通過所述可調電阻電容對對應的所述子基底的功率進行控制，并通過所述阻抗檢測單元獲取對應的所述子基底的功率。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的用于工藝腔室的基臺，其特征在于，所述多個子基底分別為環形、扇形、扇環形和圓形中的一種或多種。

7.一種用于工藝腔室的托盤，其特征在于，包括：

絕緣隔熱層，所述絕緣隔熱層在同一平面上組成多個相互絕緣和/或隔熱的子區域；

多個子基底，所述多個子基底分別設置在所述多個相互絕緣和/或隔熱的子區域中，其中，所述多個子基底由具有阻抗性能的介質材料構成。

8.根據權利要求7所述的用于工藝腔室的托盤，其特征在于，所述多個阻抗介質子基底之間的介質參數不完全相同。

9.根據權利要求7或8所述的托盤，其特征在于，所述多個子基底分別為環形、扇形、扇環形和圓形中的一種或多種。

10.一種工藝腔室裝置，其特征在于，包括：

腔室本體；

權利要求1至6任一項所述的用于工藝腔室的基臺，所述基臺容納在所述腔室本體內；

權利要求7至9任一項所述的用于工藝腔室的托盤，所述托盤設置在所述基臺上。

11.一種用于工藝腔室的基臺的控制方法，其特征在于，所述工藝腔室裝置包括權利要求1至6任一項所述的用于工藝腔室的基臺，所述方法包括以下步驟：

獲取多個子基底的溫度和/或功率；

根據所述多個子基底的溫度和/或功率獲取所述工藝腔室裝置的當前溫度分布和/或功率分布；

根據預設溫度分布和/或功率分布和所述當前溫度分布和/或功率分布獲取溫度誤差分布和/或功率誤差分布；

根據溫度誤差分布和/或功率誤差分布獲取多個基底的溫度控制量和/或功率控制量，并根據溫度控制量和/或功率控制量調節多個基底的溫度和/或功率，直至溫度誤差分布和/或功率誤差分布在預設范圍內。

12.一種用于工藝腔室的托盤的設計方法，其特征在于，所述托盤為權利要求7至9任一項所述的用于工藝腔室的托盤，所述方法包括以下步驟：

初始化所述多個子基底的介質參數；

根據所述多個子基底的介質參數獲取當前溫度分布和/或功率分布；

根據預設溫度分布和/或功率分布和所述當前溫度分布和/或功率分布獲取溫度誤差分布和/或功率誤差分布；

根據所述誤差溫度分布和/或誤差功率分布獲取所述子基底的介質參數的介質參數調整量；

根據所述介質參數調整量對所述子基底的介質參數進行調整，直至所述溫度誤差分布和/或功率誤差分布在預設范圍內，以根據調整后的所述多個子基底的介質參數制造所述子基底。