[發明專利]磁記錄介質的制造方法、磁記錄介質及磁記錄再現裝置在審
| 申請號： | 201410028681.2 | 申請日： | 2014-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN103943116A | 公開（公告）日： | 2014-07-23 |
| 發明（設計）人： | 井上健;黑川剛平;大橋榮久 | 申請（專利權）人： | 昭和電工株式會社 |
| 主分類號： | G11B5/851 | 分類號： | G11B5/851;G11B5/66 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 記錄 介質 制造 方法 再現 裝置 | ||
1.一種磁記錄介質的制造方法，其特征在于，其至少具備以下工序：形成取向控制層的工序，在非磁性基板上形成控制正上方的層的取向性的取向控制層；和形成垂直磁性層的工序，形成易磁化軸相對于所述非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性層，其中，
所述形成取向控制層的工序包括利用濺射法形成具有粒狀結構的粒狀層的子工序，所述粒狀層包含Ru或以Ru為主要成分的材料和熔點為450℃以上且1000℃以下的氧化物，
所述形成垂直磁性層的工序是以與構成所述取向控制層的晶體顆粒一同形成沿厚度方向連續的柱狀晶的方式使晶體顆粒進行晶體生長的工序。
2.根據權利要求1所述的磁記錄介質的制造方法，其特征在于，所述熔點為450℃以上且1000℃以下的氧化物是熔點為450℃以上且850℃以下的氧化物。
3.根據權利要求1或2所述的磁記錄介質的制造方法，其特征在于，所述熔點為450℃以上且1000℃以下的氧化物是B2O3或In2O3中的任一種。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的磁記錄介質的制造方法，其特征在于，在3Pa以上且6Pa以下的濺射壓下進行所述形成粒狀層的工序。
5.根據權利要求1～4中任一項所述的磁記錄介質的制造方法，其特征在于，所述形成取向控制層的工序包括在所述形成粒狀層的工序之前、利用濺射法在濺射氣壓0.1Pa～3Pa的范圍內形成低氣壓層的子工序，所述低氣壓層包含Ru或以Ru為主要成分的材料，
在比所述形成低氣壓層的工序高的濺射壓下進行所述形成粒狀層的工序。
6.根據權利要求1～5中任一項所述的磁記錄介質的制造方法，其特征在于，所述粒狀層包含合計為2體積%～20體積%的范圍內的熔點為450℃以上且1000℃以下的氧化物。
7.根據權利要求1～6中任一項所述的磁記錄介質的制造方法，其特征在于，在層疊所述垂直磁性層的工序中，利用濺射法形成垂直磁性層。
8.一種磁記錄介質，其特征在于，其在非磁性基板上至少具備：控制正上方的層的取向性的取向控制層、和易磁化軸相對于所述非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性層，其中，
所述取向控制層包含具有粒狀結構的粒狀層，所述粒狀層包含Ru或以Ru為主要成分的材料和熔點為450℃以上且1000℃以下的氧化物，
所述垂直磁性層包含與構成所述取向控制層的晶體顆粒一同沿厚度方向連續的柱狀晶，
用原子力顯微鏡對所述磁記錄介質的表面進行測定得到的表面粗糙度即Ra為3埃以下。
9.一種磁記錄再現裝置，其特征在于，其具備權利要求8所述的磁記錄介質和對所述磁記錄介質進行信息的記錄再現的磁頭。
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