[發(fā)明專利]磁記錄介質(zhì)的制造方法

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• 申請日: 2014-01-21
• 公開（公告）號: CN103971706A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 岡部健彥;藤克昭
• 申請（專利權(quán)）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: G11B5/84
• 分類號: G11B5/84;G11B5/725
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 李照明;段承恩

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種磁記錄介質(zhì)的制造方法。

背景技術(shù)

近年，磁存儲裝置被安裝在個人計算機(jī)、錄像機(jī)、數(shù)據(jù)服務(wù)器等各種各樣的產(chǎn)品中，其重要性日益增加。磁存儲裝置是一種具有通過磁記錄對電子數(shù)據(jù)進(jìn)行保存的磁記錄介質(zhì)的裝置，例如，可包括磁盤裝置、可撓性（軟）盤裝置、磁帶裝置等。磁盤裝置例如可包括硬盤驅(qū)動器（ＨＤＤ：Hard Disk Drive）等。

一般的磁記錄介質(zhì)具有多層膜積層結(jié)構(gòu)，該多層膜積層結(jié)構(gòu)例如可通過在非磁性基板上按底層（或稱基層）、中間層、磁記錄層、及保護(hù)層的順序進(jìn)行成膜，然后在保護(hù)層的表面涂敷潤滑層而形成。為了防止雜物（不純物）等混入磁記錄介質(zhì)的各層之間，在磁記錄介質(zhì)的制造中使用了一種可在減壓狀態(tài)下連續(xù)地對各層進(jìn)行積層的串列式（Inline）真空成膜裝置（例如，參照專利文獻(xiàn)1）。

在串列式真空成膜裝置中，具有可在基板上進(jìn)行成膜的成膜單元的多個（本文指2個以上）成膜室、進(jìn)行加熱處理的加熱室、及預(yù)備室等一起介由閘閥（Gate Valve）連接，形成了一條成膜線。在搬運(yùn)單元上安裝（安放）基板并使其通過成膜線的過程中，基板上可形成預(yù)定層的膜，據(jù)此，可制成預(yù)期的磁記錄介質(zhì)。

一般而言，成膜線被配置為環(huán)狀，成膜線上具有基板裝卸室，用于將基板安裝至搬運(yùn)單元或從搬運(yùn)單元上將其拆卸下來。在成膜室間繞了一圈的搬運(yùn)單元被送入基板裝卸室，從搬運(yùn)單元上拆下成膜后的基板，并在成膜后的基板被拆下了的搬運(yùn)單元內(nèi)再安裝新的基板。

另外，作為在磁記錄介質(zhì)的表面形成潤滑層的方法，提出了一種在真空成膜容器內(nèi)載置磁記錄介質(zhì)，并在成膜容器內(nèi)導(dǎo)入氣化潤滑劑的汽相潤滑（Vapor-Phase Lubrication）成膜方法（例如，參照專利文獻(xiàn)2）。

如上所述，在串列式真空成膜裝置中制造具有多層膜積層結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)的情況下，例如，形成磁記錄層時使用基于濺射法（Sputtering Method）的真空成膜裝置；形成保護(hù)層時使用基于離子束法的真空成膜裝置；形成潤滑層時使用基于汽相潤滑成膜法的真空成膜裝置。據(jù)此，能夠以不使被積層體與大氣接觸的方式來進(jìn)行從磁記錄層至潤滑層的形成過程（或稱“成膜步驟”），這樣，就可以防止雜物從大氣混入各層之間。

另外，還提出了一種磁記錄介質(zhì)（例如專利文獻(xiàn)3），其中，形成2層潤滑層；保護(hù)層側(cè)具有固定層（或稱“粘合（bond）層”），其化學(xué)性穩(wěn)定并具有與保護(hù)層之間適當(dāng)?shù)拿苤裕患啊⒈砻鎮(zhèn)染哂辛鲃訉樱ɑ蚍Q“自由（free）層”），其主要由低摩擦系數(shù)材料構(gòu)成。

[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)1]特開平8－274142號公報

[專利文獻(xiàn)2]特開2004－002971號公報

[專利文獻(xiàn)3]特開2006－147012號公報

發(fā)明內(nèi)容

[發(fā)明要解決的課題]

如果考慮到磁記錄介質(zhì)和磁頭的接觸，則潤滑層的摩擦系數(shù)最好為較低。另一方面，如果考慮到磁記錄介質(zhì)的耐腐蝕性，則基于潤滑層的保護(hù)層表面的被覆率最好為較高。

因此，本發(fā)明的目的在于提供一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其可降低潤滑層的摩擦系數(shù)，并可提高基于潤滑層的保護(hù)層表面的被覆率。

[用于解決課題的手段]

根據(jù)本發(fā)明的一個側(cè)面，提供一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其在被積層體上依次形成磁記錄層、保護(hù)層、及潤滑層。其中，所述潤滑層是按如下方式形成的，即：采用汽相潤滑成膜方法，以使形成了所述保護(hù)層后的所述被積層體不與大氣接觸的方式，在所述被積層體上涂敷第1潤滑劑；之后，使用溶解于有機(jī)溶媒的第2潤滑劑，在所述被積層體上涂敷潤滑劑。

[發(fā)明的效果]

根據(jù)所公開的磁記錄介質(zhì)的制造方法，可減低潤滑層的摩擦系數(shù)，并可提高基于潤滑層的保護(hù)層表面的被覆率。

附圖說明

[圖1]對本發(fā)明的一個實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)的制造裝置的一個例子進(jìn)行表示的模式圖。

[圖2]對由圖1的制造裝置所制造的磁記錄介質(zhì)的一個例子進(jìn)行表示的截面圖。

[圖3]對具有在本實(shí)施方式中所制造的磁記錄介質(zhì)的磁存儲裝置的結(jié)構(gòu)的一個例子進(jìn)行表示的斜視圖。

[符號說明]

1 磁記錄介質(zhì)

100 基板

101 成膜裝置

110 密著層

111、112、940、942、946機(jī)器人

120 軟磁性底層

130 配向控制層

140 非磁性底層