[發明專利]半導體器件和包括該半導體器件的半導體裝置

有效

• 申請號: 201410027529.2
• 申請日: 2014-01-21
• 公開（公告）號: CN103972254B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發明（設計）人: 山口哲司;長畑和典;三浦利仁;瀧本香織
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種半導體器件，包括：

第一導電類型的導電區域，具有相鄰于多層配線層的表面；

第二導電類型的電荷累積區域，形成在該第一導電類型的導電區域內，其中該電荷累積區域由分隔部分與該導電區域的相鄰于該多層配線層的表面分隔；以及

接觸體，設置在該導電區域中，該接觸體將該電荷累積區域和該多層配線層的外部配線電連接，

其中該多層配線層設置在該導電區域的光接收表面的相反側。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括絕緣部分，該絕緣部分接觸該接觸體且設置在至少在該電荷累積區域的一部分和該分隔部分之間的區域中。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中該絕緣部分的外周小于該電荷累積區域的外周。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，還包括耗盡層，其中該絕緣部分設置在該電荷累積區域的一部分和該分隔部分之間形成該耗盡層的區域中。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

第一光電轉換部分，設置在該導電區域的第二表面之上，該導電區域的該第二表面在相鄰于該多層配線層的表面的相反側。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，還包括：

導電塞，穿過該導電區域，其中該第一光電轉換部分電連接到該導電塞，并且該導電塞電連接到該外部配線，從而使該第一光電轉換部分電連接到該電荷累積區域。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中該第一光電轉換部分包括設置在上電極和下電極之間的光電轉換膜。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，還包括穿過該導電區域且電連接到該上電極的第二導電塞，其中該導電塞電連接到該下電極。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，還包括設置在該導電區域內的第二光電轉換部分。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，還包括設置在該導電區域內的第三光電轉換部分。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其中該第一光電轉換部分是有機光電轉換部分，該第二光電轉換部分是無機光電轉換部分，并且該第三光電轉換部分是無機光電轉換部分。

12.根據權利要求10所述的半導體器件，其中該光電轉換部分、該第二光電轉換部分和該第三光電轉換部分在與光進入該半導體器件的方向對應的垂直方向上層疊。

13.一種固態攝像裝置，包括具有多個單元像素的像素部分，該多個單元像素二維地設置成矩陣形式，其中單元像素包括：

第一導電類型的導電區域，具有相鄰于多層配線層的表面；

第二導電類型的電荷累積區域，形成在該第一導電類型的導電區域內，其中該電荷累積區域由分隔部分與該導電區域的相鄰于該多層配線層的表面分隔；以及

接觸體，設置在該導電區域中，該接觸體將該電荷累積區域和該多層配線層的外部配線電連接，

其中該多層配線層設置在該導電區域的光接收表面的相反側。

14.根據權利要求13所述的固態攝像裝置，還包括絕緣部分，該絕緣部分接觸該接觸體且設置在至少在該電荷累積區域的一部分和該分隔部分之間的區域中。

15.根據權利要求14所述的固態攝像裝置，還包括：

光電轉換部分，設置在該導電區域的第二表面之上，該導電區域的該第二表面在相鄰于該多層配線層的表面的相反側；以及

導電塞，穿過該導電區域，其中該光電轉換部分電連接到該導電塞，并且該導電塞電連接到該外部配線，從而該光電轉換部分電連接到該電荷累積區域。

16.根據權利要求15所述的固態攝像裝置，還包括設置在該導電區域內的第二光電轉換部分。