[發明專利]基于耗盡型槽柵AlGaN/GaN HEMT器件結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201410025538.8
• 申請日: 2014-01-20
• 公開（公告）號: CN103779408A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 馮倩;杜鍇;代波;張春福;梁日泉;張進成;郝躍
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/423;H01L29/10;H01L21/335
• 代理公司: 北京方圓嘉禾知識產權代理有限公司 11385
• 代理人: 董芙蓉

1.一種基于耗盡型槽柵AlGaN/GaN?HEMT器件結構，其特征在于：所述結構包括襯底、本征GaN層、AlN隔離層、本征AlGaN層、AlGaN摻雜層、柵電極、源電極、漏電極、絕緣層、鈍化層以及用于調節溝道電場的硅化物；所述AlGaN摻雜層位于本征AlGaN層之上，電極以及絕緣層位于AlGaN層之上，硅化物位于絕緣層之上；在襯底上外延生長耗盡型AlGaN/GaN異質結材料，并在該異質結材料上形成槽柵、源極和漏極，然后淀積一層絕緣層，在絕緣層上的柵漏區域以及柵源區域間，形成硅化物，最后淀積鈍化層實現器件的鈍化。?

2.根據權利要求1所述的基于耗盡型槽柵AlGaN/GaN?HEMT器件結構，其特征在于：其中的襯底的材料是藍寶石、碳化硅、GaN或MgO。?

3.根據權利要求1所述的基于耗盡型槽柵AlGaN/GaN?HEMT器件結構，其特征在于：其中的AlGaN中Al與Ga的組份可以調節，Al_xGa_1-xN中x＝0～1。?

4.根據權利要求1所述的基于耗盡型槽柵AlGaN/GaN?HEMT器件結構，其特征在于：硅化物包括NiSi，TiSi₂、或Co₂Si。?

5.根據權利要求1所述的基于耗盡型槽柵AlGaN/GaN?HEMT器件結構，其特征在于：絕緣層的厚度為5～10nm。?

6.根據權利要求1所述的基于耗盡型槽柵AlGaN/GaN?HEMT器件結構，其特征在于：其GaN溝道替換為Al_yGa_1-yN溝道，而Al_yGa_1-yN中y的組份小于另外兩層中的Al組份x，即x＞y。?

7.根據權利要求1所述的基于耗盡型槽柵AlGaN/GaN?HEMT器件結構，其特征在于：硅化物為塊狀，并且引入應力，塊間距小于塊寬度，硅化物會對下面的各層產生壓應力，塊之間將會產生向塊的壓力，通過使塊間距小于塊寬度，可以使下面各層總體獲得總體張應力，從而使溝道中電場得到增強。?

8.根據權利要求1所述的基于耗盡型槽柵AlGaN/GaN?HEMT器件結構，其特征在于：其絕緣層和鈍化層包括SiN、Al₂O₃、HfO₂、HfSiO等絕緣材料。?

9.根據權利要求1所述的基于耗盡型槽柵AlGaN/GaN?HEMT器件結構，其特征在于：其柵極采用槽柵結構。?

10.基于耗盡型槽柵AlGaN/GaN?HEMT器件結構的制作方法，其特征在于：包括如下步驟：?

利用金屬硅化物提高AlGaN/GaN?HEMT器件性能的結構，包括如下過程：?

(1)對外延生長的AlGaN/GaN材料進行有機清洗，用流動的去離子水清洗并放入HCl∶H₂O＝1∶1的溶液中進行腐蝕30-60s，最后用流動的去離子水清洗并用高純氮氣吹干；?

(2)對清洗干凈的AlGaN/GaN材料進行光刻和干法刻蝕，形成有源區臺面；?

(3)對制備好臺面的AlGaN/GaN材料進行光刻，形成源漏區，放入電子束蒸發臺中淀積歐姆接觸金屬Ti/Al/Ni/Au＝(20/120/45/50nm)并進行剝離，最后在氮氣環境中進行850℃35s的快速熱退火，形成歐姆接觸；?

(4)將器件放入原子層淀積設備中，工藝條件為：生長溫度為300℃，壓力為2000Pa，H₂O和TMAl的流量均為150sccm，淀積5-10nm厚的Al₂O₃介質；?

(5)然后將器件放入磁控濺射的反應室中同時濺射Ni和Si，工藝條件為：Ni靶的直流偏置電壓為100V，Si靶的射頻偏置電壓為450V，載氣Ar的流量為30sccm，共淀積100nm～150nm厚的混合金屬薄膜；?

(6)將淀積好薄膜的器件進行光刻，形成混合薄膜的刻蝕窗口區，并放入ICP干法刻蝕反應室中，工藝條件為：上電極功率為200W，下電極功率為20W，反應室壓力為1.5Pa，CF₄的流量為20sccm，Ar氣的流量為10sccm，刻蝕時間為5min；?

(7)將器件放入快速退火爐中，在氮氣環境下進行450℃，30s的快速熱退火，形成NiSi合金；?

(8)對完成合金的器件進行光刻，形成柵極金屬區域，并將器件放入ICP干法刻蝕反應室中，工藝條件為：上電極功率為200W，下電極功率為20W，反應室壓力為1.5Pa，Cl₂的流量為10sccm，Ar氣的流量為10sccm，刻蝕時間約為2～3min，刻蝕掉柵區域的Al₂O₃介質層以及部分AlGaN勢壘層5～10nm；然后將器件放入HCl∶H₂O＝1∶1的溶液中對刻蝕殘留物進行去除，用流動的去離子水清洗并吹干后放入電子束蒸發臺中淀積Ni/Au＝20/200nm并進行剝離，完成柵電極的制備；?

(9)將完成柵極制備的器件放入PECVD反應室淀積SiN鈍化膜，具體工藝條件為：SiH₄的流量為40sccm，NH₃的流量為10sccm，反應室壓力為1～2Pa，射頻功率為40W，淀積200nm～300nm厚的SiN鈍化膜；?

(10)將器件再次進行清洗、光刻顯影，形成SiN薄膜的刻蝕區，并放入ICP干法刻蝕反應室中，工藝條件為：上電極功率為200W，下電極功率為20W，反應室壓力為1.5Pa，CF₄的流量為20sccm，Ar氣的流量為10sccm，刻蝕時間為10min，將源極、?柵極、漏極上面覆蓋的SiN和Al₂O₃薄膜刻蝕掉；?

(11)將器件進行清洗、光刻顯影，并放入電子束蒸發臺中淀積Ti/Au＝20/200nm的加厚電極，完成整體器件的制備。?