[發明專利]射頻集成電路芯片及其形成方法

有效

• 申請號: 201410025095.2
• 申請日: 2014-01-20
• 公開（公告）號: CN104795350B
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發明（設計）人: 朱巖巖;侯飛凡
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L23/66
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種射頻集成電路芯片的形成方法，其特征在于，包括：

提供絕緣體上半導體結構，所述絕緣體上半導體結構從下到上依次包括基底、埋氧化層和半導體襯底，所述半導體襯底中具有淺溝槽隔離結構；

蝕刻所述淺溝槽隔離結構及其下方的埋氧化層直至形成通孔，所述通孔暴露所述基底表面；

沿所述通孔采用各向同性刻蝕方法蝕刻所述基底直至在所述基底形成溝槽，所述溝槽的橫截面積大于通孔的橫截面積，溝槽的深度等于溝槽從通孔向外拓張的寬度；

沉積填充層填充所述溝槽和所述通孔；

在所述半導體襯底、所述淺溝槽隔離結構和所述填充層上形成介質層；

在所述介質層上形成射頻器件。

2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，采用各向同性干法刻蝕方法形成所述溝槽，所述各向同性干法刻蝕方法采用的反應氣體包括HBr、Cl₂和O₂的至少其中之一。

3.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述溝槽呈橢球形，并且所述溝槽的深度范圍為0.5μm～3μm。

4.如權利要求3所述的形成方法，其特征在于，采用各向同性濕法刻蝕方法形成所述溝槽。

5.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述填充層的材料包括無定形硅或者多晶硅。

6.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，采用各向異性干法刻蝕方法形成所述通孔，所述各向異性干法刻蝕方法采用的反應氣體包括CF₄和CHF₃的至少其中之一。

7.一種射頻集成電路芯片，應用權利要求1所述方法制取，其特征在于，包括：

絕緣體上半導體結構，所述絕緣體上半導體結構從下到上依次包括基底、埋氧化層和半導體襯底，所述半導體襯底中具有淺溝槽隔離結構；

填充層，貫穿所述淺溝槽隔離結構和所述埋氧化層，并填充部分所述基底以將所述基底與所述淺溝槽隔離結構和所述埋氧化層隔開；

介質層，位于所述半導體襯底、所述淺溝槽隔離結構和所述填充層上；

射頻器件，位于所述介質層上。

8.如權利要求7所述的射頻集成電路芯片，其特征在于，所述填充層的材料包括無定形硅或者多晶硅。

9.如權利要求7所述的射頻集成電路芯片，其特征在于，所述填充層位于所述基底部分呈橢球形，并且所述填充層位于所述基底部分的厚度范圍為0.5μm～3μm。

10.如權利要求7所述的射頻集成電路芯片，其特征在于，所述埋氧化層和所述淺溝槽隔離結構的總厚度范圍為2mm～3mm。