[發明專利]一種硅納米線陣列表面修飾有機小分子的方法

有效

• 申請號: 201410024915.6
• 申請日: 2014-01-20
• 公開（公告）號: CN103755384A
• 公開（公告）日: 2014-04-30
• 發明（設計）人: 張曉宏;張曉婕;王輝;歐雪梅;李凡
• 申請（專利權）人: 中國科學院理化技術研究所
• 主分類號: C04B41/53
• 分類號: C04B41/53;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 張文祎

1.一種硅納米線陣列表面修飾有機小分子的方法，其特征在于，包括如下步驟：

1)將硅納米陣列表面用氟化氫溶液處理，得到處理后的硅納米線陣列；

2)在無水且隔絕氧氣的條件下，將步驟1)制得的硅納米線陣列與格式試劑進行反應，得到表面修飾的硅納米線陣列。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法還包括如下步驟

3)對步驟2）得到的表面修飾的硅納米線陣列進行洗滌、干燥，所述洗滌所用的溶劑為四氫呋喃或乙醇。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：步驟1）所述的氟化氫溶液的質量濃度為1%～15%，優選地，所述氟化氫溶液的質量濃度為10%。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于：步驟2)所述的格氏試劑的溶液濃度為0.5～3mol/L，優選地，所述格氏試劑的溶液濃度為1mol/L；所述格氏試劑選自甲基氯化鎂、甲基溴化鎂、甲基碘化鎂、乙基氯化鎂或乙基溴化鎂。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于：步驟2）所述的反應溫度為60～90℃，優選地，所述反應溫度為70℃；所述的反應時間為1～144h，優選地，所述反應時間為8h。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于：步驟2）所述的無水且隔絕氧氣的條件指反應在干燥的有機溶劑中進行；所述的有機溶劑選自四氫呋喃、乙醇或丙酮。

7.權利要求6所述的方法制備得到甲基修飾的硅納米線陣列，對于得到的產品可用產品的結構，性能參數等來限定，用以區分本發明方法與其他方法。