[發明專利]混色型掩膜開口缺陷的有機發光二極管顯示屏修補方法在審
| 申請號: | 201410024719.9 | 申請日: | 2014-01-10 |
| 公開(公告)號: | CN104779264A | 公開(公告)日: | 2015-07-15 |
| 發明(設計)人: | 高志豪;黃俊杰;彭軍;蔡學明 | 申請(專利權)人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 張浴月;李玉鎖 |
| 地址: | 201500 上海市金山區*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 混色型掩膜 開口 缺陷 有機 發光二極管 顯示屏 修補 方法 | ||
技術領域
本發明涉及有機發光二極管,尤其涉及一種混色型掩膜開口缺陷的有機發光二極管顯示屏修補方法。
背景技術
有機發光二極管(OLED)產品具有反應快、重量輕、厚度薄、構造簡單等特點,可應用與電視、電腦、手機等各種電子產品的顯示屏上。但是全彩化的OLED顯示屏仍然存在一些技術難題需要解決,全彩工藝需要采用非常精細的掩膜和精確的對位技術,分別將紅藍綠不同顏色的發光材料蒸鍍于不同的位置,形成紅藍綠子像素做為發光中心,紅藍綠三色為獨立發光材料進行發光,然后調節三種顏色的混色比,顯示出全彩色。全彩工藝的困難點在于發光材料的選擇以及精細金屬掩膜(FMM,Fine?Metal?Mask)的工藝。
圖1中示出了正常金屬掩膜的示意圖,圖1中的掩膜線條精密并且排列整齊,線條處即為防止蒸鍍材料蒸鍍到極板上的掩膜。但是這種精細的掩膜容易受到外來異物的影響,如塵埃,油脂,涂料等會使掩膜造成缺陷,如圖2所示。如附圖標記1所示的位置,外來異物造成掩膜線條的缺失,造成掩膜變形,這樣對后續蒸鍍紅藍綠有機發光材料帶來影響,導致蒸鍍材料無法蒸鍍到正確的位置,相鄰的不同顏色的子像素形成混色,會造成顯示屏幕上的色差。目前急需一種技術簡便有效地接近這個技術問題。
發明內容
本發明的目的在于提出一種混色型掩膜開口缺陷的有機發光二極管顯示屏修補方法,能夠簡便有效地解決掩膜缺陷照成的蒸鍍材料錯位引起的顯示色差問題,提升合格率。
為達此目的,本發明采用以下技術方案:
一種混色型掩膜開口缺陷的有機發光二極管顯示屏修補方法,其特征在于,包括以下步驟:將具有不同顏色的顯示區域的有機發光二極管顯示屏放置于激光光源的照射范圍之內,所述不同顏色的顯示區域蒸鍍有不同顏色的有機發光材料,且彼此之間具有預定開口,采用激光從有機發光二極管的頂部照射所述開口,將所述掩膜開口中不同顏色有機發光材料層重疊的部分去除。
其中,所述激光為準分子激光。
其中,所述激光的波長范圍為50~300納米。
其中,所述激光的波長范圍為250納米。
其中,所述激光的能量為20-30毫焦。
其中,還包括在激光照射之前,將有機發光二極管顯示屏放置于激光維修機臺,進行對焦位置的對準,使激光光源對準所述開口。
其中,,所述不同顏色有機發光材料層重疊包括紅、藍、綠中任意的組合。
其中,,所述顯示屏從頂部往下依次包括TFT襯底;有效顯示區;ITO陽極層;空穴注入層;空穴傳輸層;發光層;電子傳輸層;Ag/Mg陰極層;光導出層。
與現有技術相比,本發明提供的混色型掩膜開口缺陷的有機發光二極管顯示屏修補方法的修補方法,能夠有效解決蒸鍍的發光材料錯位造成顯示色差問題,修補掩膜缺陷,并且工藝簡單方便。
附圖說明
圖1:正常FMM的示意圖。
圖2:有缺陷的FMM的示意圖。
圖3:正常OLED顯示屏的剖面結構示意圖。
圖4:有缺陷的OLED顯示屏的剖面結構示意圖。
圖5:激光去除缺陷部分的示意圖。
圖6:去除缺陷之后的OLED顯示屏的剖面結構示意圖。
其中,附圖標記說明如下:
1、TFT襯底;2、有效顯示區(AA);3、ITO陽極層;4、空穴注入層(HIL1);5、空穴注入層(HIL2-1);6、空穴注入層(HIL2-2);7、空穴注入層(HIL2-3);8、空穴注入層(HIL3);9、空穴傳輸層(HTL);10-1、藍光發光層(blue-EML);10-2、綠光發光層(green-EML);10-3、紅光發光層(red-EML);11、電子傳輸層(ETL);12、13、Ag/Mg陰極層;14、光導出層;15、藍光發光層與綠光發光層交疊的部分;16、去除藍光發光層與綠光發光層交疊部分留下的空白區域;17、激光光源。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例對本發明作進一步的詳細說明。可以理解的是,此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發明,而非對本發明的限定。另外還需要說明的是,為了便于描述,附圖中僅示出了與本發明相關的部分而非全部結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





