[發明專利]一種常溫碳酸氫銨沉淀制備大顆粒氧化鐠釹的方法有效
| 申請號： | 201410024527.8 | 申請日： | 2014-01-20 |
| 公開（公告）號： | CN103738999A | 公開（公告）日： | 2014-04-23 |
| 發明（設計）人： | 趙文怡;許延輝;李志強;張旭霞;田皓;梁行方;劉鈴聲;馬升峰;周建鵬;王英杰 | 申請（專利權）人： | 瑞科稀土冶金及功能材料國家工程研究中心有限公司 |
| 主分類號： | C01F17/00 | 分類號： | C01F17/00 |
| 代理公司： | 包頭市專利事務所 15101 | 代理人： | 張少華 |
| 地址： | 014030 內蒙古自*** | 國省代碼： | 內蒙古;15 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 常溫 碳酸氫銨 沉淀 制備 顆粒 氧化 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種常溫碳酸氫銨沉淀制備大顆粒氧化鐠釹的方法，其特征是：在反應器中加入濃度為0.2~0.8mol/L的氯化鐠釹溶液，在常溫下直接向氯化鐠釹溶液中加入濃度為1~3mol/L的碳酸氫銨溶液，氯化鐠釹與碳酸氫銨的摩爾比為1：3.2～4，碳酸氫銨溶液采用兩步加入的方式，第一步先加入一部分碳酸氫銨溶液，靜置陳化10~15h，再加入剩余的碳酸氫銨溶液至沉淀完全，pH=6.2~6.5，在常溫陳化10~15h，過濾、熱水淋洗、自然干燥，制得帶8個結晶水的碳酸鐠釹沉淀，將碳酸鐠釹沉淀焙燒得到中位粒徑為30~40μm的大顆粒氧化鐠釹產品。
2.根據權利要求1所述的常溫碳酸氫銨沉淀制備大顆粒氧化鐠釹的方法，其特征是：所述常溫碳酸氫銨沉淀過程是指在室內溫度為10~30℃下進行。
3.根據權利要求1所述的常溫碳酸氫銨沉淀制備大顆粒氧化鐠釹的方法，其特征是：所述氯化鐠釹與碳酸氫銨的摩爾比為1:3.4。
4.根據權利要求1所述的常溫碳酸氫銨沉淀制備大顆粒氧化鐠釹的方法，其特征是：所述碳酸氫銨溶液采用兩步加入的方式，其中第一步先加入一部分碳酸氫銨溶液是指加入碳酸氫銨溶液總體積的20~30%。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于瑞科稀土冶金及功能材料國家工程研究中心有限公司，未經瑞科稀土冶金及功能材料國家工程研究中心有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410024527.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
