[發(fā)明專利]一種硅量子點(diǎn)晶體的生長方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410024142.1
• 申請(qǐng)日: 2014-01-20
• 公開（公告）號(hào): CN103762284A
• 公開（公告）日: 2014-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郝洪辰;陳家榮;陸明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 復(fù)旦大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L33/06
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.?一種硅量子點(diǎn)晶體的生長方法，其特征在于，具體步驟如下：?

（1）選取揮發(fā)性較好的溶劑作為硅量子點(diǎn)的分散劑，把硅量子點(diǎn)分散在易于揮發(fā)的溶劑中，預(yù)制得硅量子點(diǎn)溶液；硅量子點(diǎn)溶液濃度為：1.0-2.5mg/L；

（2）用低濃度氫氟酸，丙酮，酒精，超聲清洗沉積晶體用的襯底和離心沉積管，利用氮?dú)獯蹈桑?/p>

（3）把襯底置于離心沉積管底部，用移液器將硅量子點(diǎn)溶液轉(zhuǎn)移到離心沉積管內(nèi)；將離心沉積管置于高速離心機(jī)中；

（4）在溶液揮發(fā)沉積的同時(shí)，高速離心機(jī)以4000-8000轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速高速離心，輔助沉積。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅量子點(diǎn)晶體的生長方法，其特征在于，所述分散劑為甲醇、乙醇或者均三甲苯，或者甲醇、乙醇或者均三甲苯與水的混合物。

3.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅量子點(diǎn)晶體的生長方法，其特征在于，根據(jù)選用的分散劑的揮發(fā)速率，計(jì)算確定離心時(shí)間。

4.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅量子點(diǎn)晶體的生長方法，其特征在于，所述離心沉積管的材料為石英或者塑料，該離心管沉積設(shè)計(jì)為平底，且底面與豎直管壁的夾角等于高速離心機(jī)的角轉(zhuǎn)子與水平面的夾角的余角。