[發明專利]一種雙管串聯升壓電路

無效

• 申請號: 201410023971.8
• 申請日: 2014-01-17
• 公開（公告）號: CN103795243A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 陳尤
• 申請（專利權）人: 無錫市金賽德電子有限公司
• 主分類號: H02M3/155
• 分類號: H02M3/155
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

技術領域

本發明涉及一種升壓電路，尤其涉及一種雙管串聯升壓電路。

背景技術

傳統的升壓電路如圖1所示，由于MOS管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）耐壓值要略高于輸出電壓，當礦井系統的輸入電壓為AC90V-AC750V時，MOS管需要選擇1500V耐壓的非常規MOS管,不僅成本高，而且效率低。

發明內容

本發明的目的在于通過一種雙管串聯升壓電路，來解決以上背景技術部分提到的問題。

為達此目的，本發明采用以下技術方案：

一種雙管串聯升壓電路，包括MOS管Q1、二極管D1、電阻R1、MOS管Q2、穩壓二極管D2及二極管D3；其中，所述MOS管Q1的源極連接二極管D1的一端，二極管D1的另一端連接電阻R1的一端，MOS管Q1的漏極與MOS管Q2的源極連接后的結點連接穩壓二極管D2的一端，穩壓二極管D2的另一端連接MOS管Q1的柵極、二極管D3的一端、電阻R1的另一端，二極管D3的另一端連接MOS管Q2的漏極。

特別地，所述二極管D3選用TVS管。

本發明提供的雙管串聯升壓電路將兩個MOS管串聯連接，降低了每個MOS管的耐壓值，當輸入電壓為AC90V-AC750V時，即可選用耐壓值為800V的常規MOS管，不僅大大降低了成本，而且提升了效率。

附圖說明

圖1為傳統升壓電路結構圖；

圖2為本發明實施例提供的雙管串聯升壓電路結構圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本發明作進一步說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發明，而非對本發明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發明相關的部分而非全部內容。

請參照圖2所示，圖2為本發明實施例提供的雙管串聯升壓電路結構圖。

本實施例中雙管串聯升壓電路具體包括：MOS管Q1、二極管D1、電阻R1、MOS管Q2、穩壓二極管D2、二極管D3、電容C1、電感L1、電容C2、電容C3以及電容C4。

所述MOS管Q1的源極連接二極管D1的一端，二極管D1的另一端連接電阻R1的一端，MOS管Q1的漏極與MOS管Q2的源極連接后的結點連接穩壓二極管D2的一端，穩壓二極管D2的另一端連接MOS管Q1的柵極、二極管D3的一端、電阻R1的另一端，二極管D3的另一端連接MOS管Q2的漏極。所述電容C1與電感L1串聯連接后，一端連接MOS管Q1的源極，另一端連接MOS管Q2的漏極。所述電容C2、電容C3及電容C4串聯連接后，一端連接MOS管Q2的漏極，另一端連接二極管D1與電阻R1連接后的結點。

于本實施例，所述二極管D3既可以是單一的TVS管（瞬態抑制二極管），也可以是多個串聯連接的TVS管。由于MOS管Q1與MOS管Q2串聯連接，降低了MOS管Q1和MOS管Q2的耐壓值，所以當輸入電壓為AC90V-AC750V時，MOS管Q1和MOS管Q2即可選用耐壓值為800V的常規MOS管，不僅大大降低了產品成本，而且提升了效率。

下面對本實施例中雙管串聯升壓電路的工作原理簡要進行說明。

當MOS管Q2導通時，MOS管Q1通過電阻R1和二極管D2在GS端產生15V左右電壓導通；當MOS管Q2截止時，DS電壓達到二極管D3端電壓時，MOS管Q1的GS電壓降為0，MOS管Q1截止。MOS管Q2截止時電壓不超過二極管D3的電壓，MOS管Q1截止電壓等于輸出電壓減去二極管D3的電壓，如果二極管D3總的鉗位電壓為750V，輸出電壓不高于1500V，可以選用耐壓值為800V的常規MOS管。

本發明的技術方案將兩個MOS管串聯連接，降低了每個MOS管的耐壓值，當輸入電壓為AC90V-AC750V時，即可選用耐壓值為800V的常規MOS管，不僅大大降低了成本，而且提升了效率。

注意，上述僅為本發明的較佳實施例及所運用技術原理。本領域技術人員會理解，本發明不限于這里所述的特定實施例，對本領域技術人員來說能夠進行各種明顯的變化、重新調整和替代而不會脫離本發明的保護范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發明進行了較為詳細的說明，但是本發明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發明構思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發明的范圍由所附的權利要求范圍決定。