[發(fā)明專利]一種鈦晶體燒結(jié)模具

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410023907.X
• 申請(qǐng)日: 2014-01-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103805948A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳欽忠;張喻
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福州阿石創(chuàng)光電子材料有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/26
• 分類號(hào): C23C14/26;C23C14/06
• 代理公司: 福州市鼓樓區(qū)京華專利事務(wù)所(普通合伙) 35212
• 代理人: 宋連梅

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明具體涉及一種鈦晶體燒結(jié)模具。?

背景技術(shù)

五氧化三鈦晶體廣泛用于光電子器件造，因其蒸鍍過(guò)程穩(wěn)定的性質(zhì)，得到業(yè)內(nèi)的廣泛認(rèn)可，目前已取代二氧化鈦，成為顯示技術(shù)領(lǐng)域高折射率膜料中的主要應(yīng)用材料。目前行業(yè)內(nèi)廣泛使用的五氧化三鈦主要為顆粒態(tài)晶體，常規(guī)規(guī)格為1～3mm、3～5mm等。而顆粒狀的五氧化三鈦在鍍膜前必須預(yù)先熔料，很大程度上影響了鍍膜的效率，增加了鍍膜生產(chǎn)成本。同時(shí)，現(xiàn)有技術(shù)中，顆粒狀的五氧化三鈦在制備過(guò)程均容易引入雜質(zhì)，形成大量氣孔，存在含氧量相對(duì)差異較大的物質(zhì)，從而影響制得的鍍膜層的純度和質(zhì)量。?

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種鈦晶體燒結(jié)模具，可制備片狀的鈦晶體。?

本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案解決上述技術(shù)問(wèn)題的：一種鈦晶體燒結(jié)模具，包括一成型模具和一置于該成型模具上的坩堝；所述成型模具具有一型腔，該型腔包括復(fù)數(shù)個(gè)緊貼設(shè)置的成型模孔，且每相鄰兩成型模孔之間均設(shè)有一缺口部；所述坩堝的中部向上隆起形成一凸臺(tái)，且該坩堝的內(nèi)壁與所述凸臺(tái)之間環(huán)設(shè)有一凹槽；所述凹槽上間隔設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)小孔，且每該小孔均對(duì)應(yīng)于一所述成型模孔設(shè)置。?

優(yōu)選地，所述成型模具的中部向下凹陷，形成一容置槽。?

優(yōu)選地，所述容置槽的底面至所述型腔的上表面之間的距離為10mm。?

優(yōu)選地，所述成型模孔的橫截面為圓形，且該成型模孔的的直徑為25mm，?高度為11mm。?

優(yōu)選地，所述成型模具的上表面間隔設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)第一墊塊，所述坩堝的上表面間隔設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)第二墊塊，且坩堝置于所述復(fù)數(shù)個(gè)第一墊塊上。?

優(yōu)選地，還包括一蓋板，該蓋板蓋于坩堝的復(fù)數(shù)個(gè)第二墊塊上。?

優(yōu)選地，每所述小孔的孔徑為0.3～1.5mm。?

本發(fā)明的有益效果在于：可制備片狀的五氧化三鈦晶體或片狀的其它鈦晶體，片狀Ti₃O₅晶體可縮短預(yù)熔時(shí)間，甚而可去除預(yù)熔工序，直接蒸鍍，大大縮短了鍍膜時(shí)間；且用片狀Ti₃O₅晶體制得的鍍膜層產(chǎn)品，其純度和質(zhì)量得到有效提升。?

附圖說(shuō)明

下面參照附圖結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。?

圖1為本發(fā)明一種鈦晶體燒結(jié)模具實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。?

圖2為本發(fā)明一種鈦晶體燒結(jié)模具實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。?

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參閱圖1和圖2，一種鈦晶體燒結(jié)模具100，包括一成型模具1、一置于該成型模具1上的坩堝2和一蓋板3；所述成型模具1具有一型腔11，該型腔11包括復(fù)數(shù)個(gè)緊貼設(shè)置的成型模孔111，且每相鄰兩成型模孔111之間均設(shè)有一缺口部112；所述成型模孔111的橫截面為圓形，且該成型模孔111的直徑D為25mm，高度為11mm。所述缺口部112的設(shè)置用于熔融液體在各成型模孔111之間的流動(dòng)及冷卻形成固態(tài)產(chǎn)品后下料方便。?

請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D1和圖2，所述坩堝2的中部向上隆起形成一凸臺(tái)21，且該坩堝2的內(nèi)壁與所述凸臺(tái)21之間環(huán)設(shè)有一凹槽22；所述凹槽22上間隔設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)小孔23，且每該小孔23均對(duì)應(yīng)于一所述成型模孔111設(shè)置。每所述小孔23的孔徑為0.3～1.5mm，小孔23的孔徑若大于1.5mm容易造成粉末掉落，若小于0.3mm不利于溶液流動(dòng)。坩堝2的設(shè)計(jì)，使得結(jié)晶并熔化的液體在重力作用下會(huì)通過(guò)所述復(fù)數(shù)個(gè)小孔23往成型模具1中流動(dòng)，可以使熔化的?液體不斷在凹槽22中結(jié)晶、液化并下落至所述型腔11的成型模孔111中最終成型，得到片狀晶體。?

請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D1和圖2，所述成型模具1的中部向下凹陷，形成一容置槽12；容置槽12的設(shè)置，使多余液化的溶液能流到容置槽12中。所述容置槽12的底面至所述型腔11的上表面之間的距離為10mm，從而使多余液化的溶液能順利流到容置槽12中。?

請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D1，所述成型模具1的上表面間隔設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)第一墊塊13，所述坩堝2的上表面間隔設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)第二墊塊24，且坩堝2置于所述復(fù)數(shù)個(gè)第一墊塊13上。第一墊塊13和第二墊塊24的設(shè)置都是便于將坩堝2內(nèi)部和成型模具1內(nèi)部抽成真空。所述蓋板3蓋于坩堝2的復(fù)數(shù)個(gè)第二墊塊24上，以防止在反應(yīng)過(guò)程中材料發(fā)生輕微濺射。?

本發(fā)明不但可以使五氧化三鈦在坩堝2的凹槽22中不斷生成，然后熔化并下落到成型模具1中最終成型，得到對(duì)鍍膜有利的片狀晶體材料，隨著五氧化三鈦的生成及下落，所述凸臺(tái)21上生成的五氧化三鈦會(huì)逐漸熔化下移到坩堝2的凹槽22中從而提高良品率。?