[發(fā)明專利]一種基于RRAM的新型神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410021568.1 | 申請日: | 2014-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN103778468A | 公開(公告)日: | 2014-05-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 康晉鋒;龍?jiān)?/a>;畢穎杰;高濱;陳冰;劉曉彥;劉力鋒 | 申請(專利權(quán))人: | 北京大學(xué) |
| 主分類號: | G06N3/063 | 分類號: | G06N3/063 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002 | 代理人: | 李迪 |
| 地址: | 100871*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 rram 新型 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于RRAM的新型神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)電路。
背景技術(shù)
阻變式存儲器RRAM在近些年吸引了廣泛的關(guān)注。高速度(<5ns)、低操作電壓(<1V),高存儲密度、易于集成等優(yōu)點(diǎn),使得RRAM成為了下一代半導(dǎo)體存儲器的強(qiáng)有力競爭者。RRAM器件一般具有金屬-絕緣體-金屬的結(jié)構(gòu),即在兩層金屬電極之間加入一層具有阻變特性的介質(zhì)薄膜材料,這些阻變材料一般是金屬氧化物,常見的有TiO2,HfO2,ZrO2,WO3,Ta2O5等等。通過外加電壓,可以對器件的阻值在低阻和高阻之間轉(zhuǎn)換。利用基于阻變存儲器(RRAM)陣列構(gòu)成的類似于大腦神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的電路,可以做到極低的功耗和較好的模糊識別功能。是未來圖像識別、聲音識別等領(lǐng)域的一個(gè)重要發(fā)展方向。
現(xiàn)有的基于RRAM的圖像識別電路的工作原理大致如下所述:電路結(jié)構(gòu)大致分為三部分,第一部分為傳感器結(jié)構(gòu)。將圖片的顏色信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷盒盘枺妷捍笮〔煌?,或者脈沖長短不同),該電壓用來對后級的RRAM陣列進(jìn)行操作。第二部分為多個(gè)RRAM陣列。這些陣列中的RRAM器件接收前級的電壓信號,并且產(chǎn)生電流信號,傳遞到后一級。利用多個(gè)RRAM陣列的原因是在使用中,每個(gè)陣列中的RRAM器件都會(huì)有不同的阻值分布,不同的陣列的阻值分布使得其對某種圖片的反應(yīng)強(qiáng)度最高。這些陣列中的器件對應(yīng)到神經(jīng)系統(tǒng)即為數(shù)量龐大的突觸。第三部分為末級的神經(jīng)元模塊,每個(gè)神經(jīng)元與一個(gè)陣列中所有的RRAM器件相連接,對每個(gè)器件上面的電流求和。當(dāng)電流和超過某個(gè)閾值,或者是多個(gè)神經(jīng)元中的最大值時(shí),該神經(jīng)元被激活,也即對一個(gè)圖片做出了對應(yīng)的反應(yīng)。
目前相關(guān)的工作中提到的基于RRAM的神經(jīng)元電路雖然都是由多個(gè)RRAM陣列構(gòu)成的,但是每個(gè)陣列都要接受來自整個(gè)圖片所有像素點(diǎn)產(chǎn)生的電壓。這種電路不夠靈活,無法應(yīng)對輸入圖像的形狀變化。由于利用一個(gè)RRAM陣列來接收整個(gè)圖片的信號,然后經(jīng)過后級電路求和這一過程將圖片的細(xì)節(jié)省略了,則使得現(xiàn)有電路無法處理“包含邏輯”、識別圖像時(shí)無法區(qū)分主次。同時(shí),相對于生物上的神經(jīng)系統(tǒng),目前的結(jié)構(gòu)太過于簡單,只有一級神經(jīng)元,只能處理最簡單的情況。
發(fā)明內(nèi)容
(一)解決的技術(shù)問題
針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明提供一種神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)電路,能夠在保證識別能力的基礎(chǔ)上,盡可能保留圖片的細(xì)節(jié)信息。
(二)技術(shù)方案
為了實(shí)現(xiàn)以上目的,本發(fā)明通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn):
一種神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)電路,包括:若干個(gè)傳感器、若干個(gè)第一層神經(jīng)元支路和若干個(gè)第二層神經(jīng)元支路;
每個(gè)第一層神經(jīng)元支路包括:若干個(gè)第一阻變式存儲器RRAM以及第一層神經(jīng)元;
所述傳感器用于將像素點(diǎn)的顏色轉(zhuǎn)換為電壓信號,并將此電壓信號傳輸給所述第一RRAM;所述第一RRAM根據(jù)接收到的電壓信號產(chǎn)生電流信號,并傳輸至所述第一層神經(jīng)元;所述第一層神經(jīng)元用于對接收到的電流信號進(jìn)行求和,若第一神經(jīng)元被激活,則發(fā)射電壓脈沖至所述第二RRAM;
每個(gè)第二層神經(jīng)元支路包括:若干個(gè)第二RRAM以及第二層神經(jīng)元;
所述第二RRAM器件將所述第一層神經(jīng)元與所述第二層神經(jīng)元連接起來;所述第二層神經(jīng)元用于匯總?cè)舾蓚€(gè)所述第一層神經(jīng)元激活后產(chǎn)生的電流信號。
其中,一個(gè)傳感器對應(yīng)于一個(gè)像素點(diǎn),同時(shí)一個(gè)傳感器對應(yīng)于一個(gè)RRAM器件。
其中,所述第一RRAM的阻值與接收到傳感器的電壓信號的大小呈反比。
其中,所述第一層神經(jīng)元,包括:CMOS神經(jīng)元、反饋電路。
其中,所述反饋電路用于改變所述第一層神經(jīng)元對應(yīng)的第一RRAM的阻值。
其中,所述第二層神經(jīng)元為CMOS神經(jīng)元。
(三)有益效果
本發(fā)明至少具有如下的有益效果:
1、由于采用了分塊的結(jié)構(gòu),即將圖片分成幾個(gè)部分分別進(jìn)行識別,則單個(gè)的小的RRAM陣列負(fù)責(zé)圖片的一部分,如電路結(jié)構(gòu)中的每一條第一層神經(jīng)元支路負(fù)責(zé)圖片的一部分,這樣通過多個(gè)小單元或多條支路的并行工作,就可以在一個(gè)較短的工作周期內(nèi)對一幅大的圖片進(jìn)行處理。這種并行工作的方式提高了工作效率。
2、采用分層的結(jié)構(gòu),和現(xiàn)有的技術(shù)不同,本發(fā)明的電路結(jié)構(gòu)中有兩層神經(jīng)元電路,可以將每個(gè)小塊的信息再次進(jìn)行處理,這樣電路就能處理更為復(fù)雜的邏輯關(guān)系。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京大學(xué),未經(jīng)北京大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410021568.1/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 硬件神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)換方法、計(jì)算裝置、軟硬件協(xié)作系統(tǒng)
- 生成較大神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)
- 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的生成方法、生成裝置和電子設(shè)備
- 一種舌診方法、裝置、計(jì)算設(shè)備及計(jì)算機(jī)存儲介質(zhì)
- 學(xué)習(xí)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)
- 脈沖神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)換方法及相關(guān)轉(zhuǎn)換芯片
- 圖像處理方法、裝置、可讀存儲介質(zhì)和計(jì)算機(jī)設(shè)備
- 一種適應(yīng)目標(biāo)數(shù)據(jù)集的網(wǎng)絡(luò)模型微調(diào)方法、系統(tǒng)、終端和存儲介質(zhì)
- 用于重構(gòu)人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的處理器及其操作方法、電氣設(shè)備
- 一種圖像神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的優(yōu)化方法及裝置





