[發(fā)明專利]一種背入射浸沒(méi)式熱敏薄膜型紅外探測(cè)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410020924.8 | 申請(qǐng)日: | 2014-01-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103855238A | 公開(公告)日: | 2014-06-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 歐陽(yáng)程;黃志明;周煒;吳敬;高艷卿;龍芳;褚君浩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 |
| 主分類號(hào): | H01L31/09 | 分類號(hào): | H01L31/09;G01N21/00 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
| 地址: | 200083 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 入射 浸沒(méi) 熱敏 薄膜 紅外探測(cè)器 | ||
1.一種背入射浸沒(méi)式熱敏薄膜型紅外探測(cè)器,其特征在于:在所述的熱敏薄膜型紅外探測(cè)器的襯底背面上集成一能會(huì)聚紅外信號(hào)的鍺單晶半球透鏡(4);所述的鍺單晶半球透鏡(4)為折射率n=4、電阻率大于30Ωcm、表面鍍制有抗反射層的鍺半球晶體,在其底面鍍有作為介質(zhì)層與紅外探測(cè)器進(jìn)行粘接的硒砷化合物薄膜。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所,未經(jīng)中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410020924.8/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
- 在浸沒(méi)式光刻術(shù)中使用超臨界流體以干燥芯片及清潔透鏡
- 用于浸沒(méi)式光刻機(jī)的氣密封和微孔密封裝置
- 一種浸沒(méi)式光刻系統(tǒng)和浸沒(méi)流場(chǎng)維持方法
- 一種浸沒(méi)式噴槍頭
- 一種用于浸沒(méi)式成像系統(tǒng)的浸沒(méi)頭
- 浸沒(méi)基體、浸沒(méi)基體的應(yīng)用和浸沒(méi)設(shè)備
- 一種用于浸沒(méi)式成像系統(tǒng)的浸沒(méi)頭
- 浸沒(méi)頭的集成工裝及其集成方法和光刻機(jī)
- 浸沒(méi)系統(tǒng)
- 浸沒(méi)套裝和采用浸沒(méi)套裝對(duì)浸沒(méi)物鏡進(jìn)行改進(jìn)的方法





