[發明專利]一種背入射浸沒式熱敏薄膜型紅外探測器有效
| 申請號： | 201410020924.8 | 申請日： | 2014-01-17 |
| 公開（公告）號： | CN103855238A | 公開（公告）日： | 2014-06-11 |
| 發明（設計）人： | 歐陽程;黃志明;周煒;吳敬;高艷卿;龍芳;褚君浩 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號： | H01L31/09 | 分類號： | H01L31/09;G01N21/00 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 入射 浸沒 熱敏 薄膜 紅外探測器 | ||
【權利要求書】：
1.一種背入射浸沒式熱敏薄膜型紅外探測器，其特征在于：在所述的熱敏薄膜型紅外探測器的襯底背面上集成一能會聚紅外信號的鍺單晶半球透鏡（4）；所述的鍺單晶半球透鏡（4）為折射率n=4、電阻率大于30Ωcm、表面鍍制有抗反射層的鍺半球晶體，在其底面鍍有作為介質層與紅外探測器進行粘接的硒砷化合物薄膜。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
