[發(fā)明專利]一種模擬電池放電性能的方法及實(shí)現(xiàn)該方法的電池模擬器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410020891.7 | 申請(qǐng)日: | 2014-01-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103792446A | 公開(公告)日: | 2014-05-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周佳敏;李宏;陳煒鋼;陳東旭;范曉慧 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 寧波大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01R31/00 | 分類號(hào): | G01R31/00 |
| 代理公司: | 寧波奧圣專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33226 | 代理人: | 程曉明 |
| 地址: | 315211 浙*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 模擬 電池 放電 性能 方法 實(shí)現(xiàn) 模擬器 | ||
1.一種模擬電池放電性能的方法,其特征在于包括以下步驟:
①將參考放電電壓信號(hào)的n位二進(jìn)制數(shù)字量Dn輸入到含有內(nèi)置式DAC模塊和ADC模塊的MCU的內(nèi)部控制器中并存儲(chǔ),其中DAC模塊的分辨率位數(shù)為n,n≤10,ADC模塊的分辨率位數(shù)為m,DAC模塊的參考電壓為VREF,ADC模塊的參考電壓為V′REF;
②MCU的內(nèi)部控制器將存儲(chǔ)的Dn輸入到DAC模塊中,DAC模塊將Dn進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換,根據(jù)公式計(jì)算得到模擬輸出量Uon后輸出,最低有效位
③將Uon進(jìn)行放大處理,得到電壓輸出值U0輸出,U0=K×Uon,其中,K表示放大倍數(shù),K≥2;
④采集電壓輸出值U0并將電壓輸出值U0疊加一個(gè)直流分量U,得到U′0,U′0=U0+U≤V′REF;
⑤ADC模塊以fos的采樣頻率對(duì)U′0進(jìn)行采樣,其中fos=4p×fs,p表示希望為DAC模塊和ADC模塊增加的分辨率位數(shù),fs表示初始采樣頻率,ADC模塊將4p個(gè)采樣值進(jìn)行累加后對(duì)其進(jìn)行抽取后得到反饋電壓對(duì)應(yīng)的數(shù)字信號(hào)DADC,然后將DADC輸入到MCU的內(nèi)部控制器中,此時(shí)ADC模塊的分辨率位數(shù)為m+p;
⑥MCU的內(nèi)部控制器中設(shè)置數(shù)據(jù)周期為T,將在第w個(gè)數(shù)據(jù)周期T內(nèi)MCU的內(nèi)部控制器將Dn輸入DAC模塊的時(shí)間記為Tw,w=1,2,3,……,將DADC與Dn進(jìn)行比較:如果DADC=Dn,則將步驟③中得到的電壓輸出值U0作為模擬放電電壓值輸出;如果DADC>Dn,則MCU的內(nèi)部控制器將Dn-1取代Dn輸入到DAC模塊中后對(duì)步驟②~步驟⑤中的相應(yīng)數(shù)據(jù)進(jìn)行更新,循環(huán)往復(fù)直至步驟⑥中得到DADC=Dn的結(jié)果,MCU的內(nèi)部控制器統(tǒng)計(jì)各個(gè)數(shù)據(jù)周期內(nèi)的Dn輸入DAC模塊的時(shí)間和Dn-1輸入DAC模塊的時(shí)間,若此時(shí)的數(shù)據(jù)周期為第i個(gè)數(shù)據(jù)周期,根據(jù)公式計(jì)算得到UO-end作為模擬放電電壓值輸出,Ti-1為第i-1個(gè)數(shù)據(jù)周期內(nèi)MCU的內(nèi)部控制器將Dn輸入DAC模塊的時(shí)間,此時(shí)UO-end具有n+p位的分辨率位數(shù),其中VDn是Dn對(duì)應(yīng)的電壓值,VDn-1是Dn-1對(duì)應(yīng)的電壓值,VDn=(VREF/2n)*Dn,VDn-1=(VREF/2n)*(Dn-1);如果DADC<Dn,則MCU的內(nèi)部控制器將Dn+1取代Dn輸入到DAC模塊中后對(duì)步驟②~步驟⑤中的相應(yīng)數(shù)據(jù)進(jìn)行更新,循環(huán)往復(fù)直至步驟⑥中得到DADC=Dn的結(jié)果,MCU的內(nèi)部控制器統(tǒng)計(jì)各個(gè)數(shù)據(jù)周期內(nèi)的Dn輸入DAC模塊的時(shí)間和Dn+1輸入DAC模塊的時(shí)間,若此時(shí)的數(shù)據(jù)周期為第i個(gè)數(shù)據(jù)周期,根據(jù)公式計(jì)算得到UO-end作為模擬放電電壓值輸出,Ti-1為第i-1個(gè)數(shù)據(jù)周期內(nèi)MCU的內(nèi)部控制器將Dn輸入DAC模塊的時(shí)間,此時(shí)UO-end具有n+p位的分辨率位數(shù),其中VDn是Dn對(duì)應(yīng)的電壓值,VDn+1是Dn+1對(duì)應(yīng)的電壓值,VDn=(VREF/2n)*Dn,VDn+1=(VREF/2n)*(Dn+1)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于寧波大學(xué),未經(jīng)寧波大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410020891.7/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過(guò)端—不過(guò)端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過(guò)測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試





