[發(fā)明專利]肖特基整流器及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410020540.6
• 申請日: 2014-01-16
• 公開（公告）號: CN104795452B
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發(fā)明（設計）人: 顧建平;紀剛
• 申請（專利權(quán)）人: 上海韋爾半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329;H01L21/265
• 代理公司: 上海弼興律師事務所31283
• 代理人: 薛琦,呂一旻

1.一種肖特基整流器，其包括一第一導電類型襯底，其特征在于，該肖特基整流器還包括：

形成于該第一導電類型襯底表面的第一導電類型導電層；

形成于該第一導電類型導電層中的至少一個溝槽，

形成于每個溝槽中的側(cè)壁氧化層和底部氧化層，其中該側(cè)壁氧化層形成于溝槽的側(cè)壁上，該底部氧化層形成于溝槽的底部；

淀積于溝槽中的多晶硅，該多晶硅摻雜有第二導電類型雜質(zhì)；

形成于該第一導電類型導電層表面的金屬層，

其中，該底部氧化層的厚度大于該側(cè)壁氧化層的厚度，并且在溝槽的深度方向上，自溝槽的頂部至溝槽的底部，該多晶硅中該第二導電類型雜質(zhì)的摻雜濃度由高變低。

2.如權(quán)利要求1所述的肖特基整流器，其特征在于，位于溝槽頂部的多晶硅中第二導電類型摻雜雜質(zhì)的摻雜濃度與位于溝槽底部的多晶硅中第二導電類型摻雜雜質(zhì)的摻雜濃度之比為3:1至1:1，頂部的多晶硅頂部至底部多晶硅的濃度由高變低為緩變變化，其中，位于溝槽頂部的多晶硅為接近該金屬層多晶硅，位于溝槽底部的多晶硅為接近該底部氧化層的多晶硅。

3.如權(quán)利要求2所述的肖特基整流器，其特征在于，位于溝槽頂部的多晶硅中第二導電類型摻雜雜質(zhì)的摻雜濃度與位于溝槽底部的多晶硅中第二導電類型摻雜雜質(zhì)的摻雜濃度之比為2.5:1至1.5:1。

4.如權(quán)利要求1所述的肖特基整流器，其特征在于，該溝槽深度與該底部氧化層的厚度之比為5:2至3:1；

和/或，相鄰溝槽的間距與該底部氧化層的厚度之比小于等于2.5；

和/或，從第一導電層上面俯視方向看，該溝槽為閉合的環(huán)形或條狀溝槽。

5.如權(quán)利要求1-4任意一項所述的肖特基整流器，其特征在于，該第一導電類型襯底的第一導電類型雜質(zhì)的摻雜濃度為0.001ohm·cm-0.01ohm·cm；

和/或，該第一導電類型導電層的第一導電類型雜質(zhì)的摻雜濃度為0.5ohm·cm-3ohm·cm。

6.如權(quán)利要求1-4任意一項所述的肖特基整流器，其特征在于，該第一導電類型導電層的厚度為3μm-15μm；

和/或，溝槽的寬度為0.5μm-2.5μm，溝槽深度為1.5μm-12μm，溝槽間距為1.3μm-10μm；

和/或，該底部氧化層的厚度為0.5μm-4μm；

和/或，該側(cè)壁氧化層的厚度為

和/或，該金屬層包括鈦層；

和/或，該鈦層的厚度為0.3μm-1.0μm。

7.一種肖特基整流器的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

在一第一導電類型襯底的表面上形成一第一導電類型導電層；

在該第一導電類型導電層中形成至少一個溝槽；

在每個溝槽中形成側(cè)壁氧化層和底部氧化層，其中該側(cè)壁氧化層形成于溝槽的側(cè)壁上，該底部氧化層形成于溝槽的底部，該底部氧化層的厚度大于該側(cè)壁氧化層的厚度；

在溝槽中淀積多晶硅，并對該多晶硅進行第二導電類型雜質(zhì)摻雜；

在該第一導電類型導電層表面上形成金屬層，

其中，采用離子注入的方式先后三次進行第二導電類型雜質(zhì)的注入使得在溝槽的深度方向上，自溝槽的頂部至溝槽的底部，該多晶硅中該第二導電類型雜質(zhì)的摻雜濃度由高變低。