[發(fā)明專利]雙層氮化硅減反射膜及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410020311.4
• 申請日: 2014-01-17
• 公開（公告）號: CN103746005A
• 公開（公告）日: 2014-04-23
• 發(fā)明（設計）人: 竺峰;趙國成
• 申請（專利權）人: 寧波富星太陽能有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18;C23C16/34
• 代理公司: 寧波誠源專利事務所有限公司 33102
• 代理人: 景豐強

1.一種雙層氮化硅減反射膜，包括沉積在硅片上的鈍化層和減反射層，所述減反射層沉積在鈍化層上，其特征在于：所述鈍化層的折射率為2.25～2.45，膜厚為30～40nm，所述減反射層的折射率為1.95～2.05，膜厚為45～55nm。

2.根據(jù)權利要求1所述的雙層氮化硅減反射膜，其特征在于：所述鈍化層的折射率為2.35，膜厚為35nm，所述減反射層的折射率為2.00，膜厚為50nm。

3.一種權利要求1或2所述的雙層氮化硅減反射膜的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

(1)向沉積腔室內通入流量為10000ml/min～20000ml/min的N₂，壓強為10000mTorr～15000mTorr，200s～240s之后將硅片置于沉積腔室內，沉積室內抽真空，之后向沉積腔室內通入流量為5000ml／min～6000ml／min的NH₃，在壓強為1500mTorr～1700mTorr，時間為100s～120s，射頻功率為6000W～7500W條件下對硅片表面進行預處理；

(2)鈍化層的沉積：向沉積腔室內通入SiH₄和NH₃，控制SiH₄和NH₃的體積流量比為500～950∶5500～6500，設置高頻電源功率為5500W～6500W并開啟，15s～25s后停止高頻放電，切斷SiH₄和NH₃的通入，抽干凈殘余氣體，得到鈍化層，沉積過程中的壓強為1400mTorr～1600mTorr，沉積時間為150s～250s，沉積溫度為400℃～500℃；

(3)沉積腔室內抽真空，之后通入流量為5000ml／min～6000ml／min的NH₃，壓強為1500～1700mTorr，時間為100s～120s，射頻功率為6000W～7500W；

(4)減反射層的沉積：向沉積腔室內通入SiH₄和NH₃，SiH₄和NH₃的體積流量比為500～800∶6500～7500，設置高頻電源功率為5500W～7500W并開啟，25s～45s后停止高頻放電，切斷SiH₄和NH₃的通入，抽干凈殘余氣體，得到減反射層，沉積過程中的壓強為1500mTorr～1600mTorr，沉積時間為450s～550s，沉積溫度為400℃～500℃。

4.根據(jù)權利要求3所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中，N₂的流量為15000ml/min，壓強為12000mTorr。

5.根據(jù)權利要求4所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中，氨氣的流量為5500ml/min，壓強為1600mTorr，射頻功率為7000W。

6.根據(jù)權利要求5所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中，SiH₄的流量為700ml／min，NH₃的流量為6000ml／min，高頻電源功率為6000W，壓強為1500mTorr，沉積時間為200s，沉積溫度為450℃。

7.根據(jù)權利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(3)中，NH₃的流量為5500ml／min，壓強為1600mTorr，射頻功率為7000W。

8.根據(jù)權利要求7所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(4)中，SiH₄的流量為650ml／min，NH₃的流量為7000ml／min，高頻電源功率為6500W，壓強為1500mTorr，沉積時間為500s，沉積溫度為450℃。