[發明專利]半導體裝置和制造半導體裝置的方法

有效

• 申請號: 201410020129.9
• 申請日: 2014-01-16
• 公開（公告）號: CN104051513B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 薄島章弘;神山雅充;宮崎靖守
• 申請（專利權）人: 創世舫電子日本株式會社
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務所11313
• 代理人: 孟銳

1.一種半導體裝置，包括：

襯底；

氮化物半導體層，被形成在所述襯底上并包括有源區和元素隔離區，惰性原子被引入所述元素隔離區中；

源電極，被形成在所述有源區中的所述氮化物半導體層上；

柵電極，與所述源電極分開地被形成在所述有源區中的所述氮化物半導體層上；以及

漏電極，與所述柵電極分開地被形成在所述有源區中的所述氮化物半導體層上，所述漏電極包括端部，所述端部被設置為與所述元素隔離區與所述有源區之間的邊界分開第一距離，其中

所述第一距離大于第二距離，所述第二距離是從所述元素隔離區擴散到所述有源區的惰性原子的濃度變為第一濃度的距離，所述有源區中的在所述惰性原子的濃度高于所述第一濃度的位置處的電子密度低于所述有源區的中心部分中的電子密度。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中

所述有源區在所述有源區與所述元素隔離區之間的所述邊界處具有彼此相對的第一邊緣和第二邊緣，并且

所述源電極跨過所述第一邊緣和所述第二邊緣，并且延伸到所述元素隔離區中的所述氮化物半導體層上。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，所述漏電極的所述端部在平面視圖中為圓形。

4.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，還包括：

延伸部，被設置在所述漏電極的所述端部中，其中

所述延伸部從所述端部延伸到所述元素隔離區。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，所述柵電極與所述延伸部之間的第一間隔大于所述柵電極與所述漏電極之間的第二間隔。

6.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，所述第一距離和所述第二距離之間的差大于所述元素隔離區與所述漏電極之間的對準誤差。

7.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，所述有源區中的在與所述邊界分開所述第二距離的位置處的電子密度與所述有源區的所述中心部分中的電子密度相同。

8.一種半導體裝置，包括：

襯底；

氮化物半導體層，被形成在所述襯底上并包括有源區和元素隔離區，惰性原子被引入所述元素隔離區中；

源電極，被形成在所述有源區中的所述氮化物半導體層上；

漏電極，與所述源電極分開地被形成在所述有源區中的所述氮化物半導體層上，所述漏電極包括端部，所述端部被設置為與所述元素隔離區與所述有源區之間的邊界分開第一距離；以及

柵電極，與所述元素隔離區分開地被形成在所述有源區中的所述氮化物半導體層上并包括第一開口和第二開口，所述源電極處于所述第一開口中，所述第二開口被設置為與所述第一開口分開，所述漏電極處于所述第二開口中；其中

所述第一距離大于第二距離，所述第二距離是從所述元素隔離區擴散到所述有源區的惰性原子的濃度變為第一濃度的距離，所述有源區中的在所述惰性原子的濃度高于所述第一濃度的位置處的電子密度低于所述有源區的中心部分中的電子密度。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，所述第一距離和所述第二距離之間的差大于所述元素隔離區與所述漏電極之間的對準誤差。

10.根據權利要求8或9所述的半導體裝置，其中，所述有源區中的在與所述邊界分開所述第二距離的位置處的電子密度與所述有源區的所述中心部分中的電子密度相同。

11.一種制造半導體裝置的方法，包括：

在襯底上形成氮化物半導體層；

通過將惰性原子的離子注入到所述氮化物半導體層中來形成元素隔離區，所述氮化物半導體層中的所述元素隔離區之外的部分是有源區；

在所述有源區中的所述氮化物半導體層上形成源電極；

與所述源電極分開地在所述有源區中的所述氮化物半導體層上形成柵電極；

與所述柵電極分開地在所述有源區中的所述氮化物半導體層上形成漏電極，所述漏電極包括端部，所述端部被設置為與所述元素隔離區與所述有源區之間的邊界分開第一距離，其中

在形成所述漏電極時，所述第一距離大于第二距離，所述第二距離是從所述元素隔離區擴散到所述有源區的惰性原子的濃度變為第一濃度的距離，并且所述有源區中的在所述惰性原子的濃度高于所述第一濃度的位置處的電子密度低于所述有源區的中心部分中的電子密度。