[發(fā)明專利]一種包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法及系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410019528.3
• 申請日: 2014-01-16
• 公開（公告）號(hào): CN103761197A
• 公開（公告）日: 2014-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李華平;胡遠(yuǎn)超
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市億維自動(dòng)化技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G06F12/16
• 分類號(hào): G06F12/16
• 代理公司: 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及的是一種包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法及系統(tǒng)。?

背景技術(shù)

目前市場上的PLC（Programmable?Logic?Controller，即可編程邏輯控制器，是一種數(shù)字運(yùn)算操作的電子系統(tǒng)，專為在工業(yè)環(huán)境應(yīng)用而設(shè)計(jì)的控制器）為了達(dá)到更大的存儲(chǔ)容量和更長的掉電保持時(shí)間，一般采用大電容存儲(chǔ)更多能量來延長掉電保持時(shí)間，以及采用讀寫速度更快的NAND?FLASH、MMC（MultiMedia?Card，即多媒體卡）存儲(chǔ)卡等大容量存儲(chǔ)器來達(dá)到較大存儲(chǔ)量。還有部分PLC采用RAM和電池供電的方式來保持?jǐn)?shù)據(jù)。在現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)采用MMC卡時(shí)會(huì)隨著產(chǎn)品老化而導(dǎo)致卡槽接觸不良問題，從而影響PLC的穩(wěn)定性。而當(dāng)采用NAND?FLASH或者電池供電的RAM時(shí)，雖然PLC運(yùn)算速度極快，而且容量大，但其導(dǎo)致生產(chǎn)成本極高。

因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。?

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法及系統(tǒng)，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中PLC掉電保持時(shí)間短與存儲(chǔ)數(shù)據(jù)量大之間相互矛盾的問題。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法，其特征在于，所述方法包括步驟：

A、當(dāng)系統(tǒng)上電時(shí)，將Flash中的待運(yùn)行數(shù)據(jù)復(fù)制到RAM中進(jìn)行存儲(chǔ)，在RAM中再對其進(jìn)行解壓和解密處理，之后在RAM中運(yùn)行解壓和解密后的數(shù)據(jù)；

B、當(dāng)系統(tǒng)開始掉電時(shí)，將RAM中運(yùn)行后的數(shù)據(jù)進(jìn)行加密和壓縮處理，得到加密和壓縮后的數(shù)據(jù)，之后將其復(fù)制到Flash中進(jìn)行存儲(chǔ)。

所述包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法，其中，所述步驟A具體包括：

A1、當(dāng)系統(tǒng)上電時(shí)，將Flash中的待運(yùn)行數(shù)據(jù)進(jìn)行加密和壓縮處理后，得到待運(yùn)行數(shù)據(jù)的壓縮包，并將其復(fù)制到RAM中進(jìn)行存儲(chǔ)；

A2、對復(fù)制到RAM中進(jìn)行存儲(chǔ)的所述待運(yùn)行的經(jīng)過加密和壓縮的數(shù)據(jù)包進(jìn)行數(shù)據(jù)解壓處理，將其解壓為解壓數(shù)據(jù)；

A3、對RAM中的解壓數(shù)據(jù)進(jìn)行解密處理，將其解析為可運(yùn)行的數(shù)據(jù)，其中所述可運(yùn)行的數(shù)據(jù)為從不可運(yùn)行的加密數(shù)據(jù)經(jīng)解密算法解密后得到的可在RAM中運(yùn)行的數(shù)據(jù)；

A4、對RAM中的可運(yùn)行數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)驗(yàn)證處理，當(dāng)通過驗(yàn)證，則在RAM中運(yùn)行所述可運(yùn)行數(shù)據(jù)，當(dāng)未通過驗(yàn)證，則不運(yùn)行所述可運(yùn)行數(shù)據(jù)。

所述包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法，其中，所述步驟B具體包括：

B1、當(dāng)系統(tǒng)開始掉電時(shí)，將在RAM中運(yùn)行后得到的數(shù)據(jù)進(jìn)行加密處理，得到加密數(shù)據(jù)；

B2、對RAM中的所述加密數(shù)據(jù)進(jìn)行壓縮處理，得到壓縮數(shù)據(jù)；

B3、將RAM中的所述壓縮數(shù)據(jù)復(fù)制到Flash中進(jìn)行存儲(chǔ)。

所述包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法，其中，所述步驟A1中的所述待運(yùn)行的經(jīng)過加密和壓縮的數(shù)據(jù)包包括用戶的配置、數(shù)據(jù)及程序；其中所述用戶配置為用戶配置、配方及初始化設(shè)置，用于設(shè)置各種功能；所述數(shù)據(jù)為變量，用于存儲(chǔ)程序的運(yùn)算結(jié)果；所述程序?yàn)橹噶顧C(jī)器碼集合。

所述包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法，其中，所述步驟A2中的所述待運(yùn)行的經(jīng)過加密和壓縮的數(shù)據(jù)包采用LZW解壓算法對其進(jìn)行解壓處理。

所述包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法，其中，所述步驟B1中的所述在RAM中運(yùn)行后得到的數(shù)據(jù)包括程序運(yùn)行結(jié)果及用戶配置。

所述包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法，其中，所述步驟B2中的所述加密數(shù)據(jù)采用LZW壓縮算法對其進(jìn)行壓縮處理。

一種包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，包括上電處理模塊和掉電處理模塊，其中：

所述上電處理模塊，用于當(dāng)系統(tǒng)上電時(shí)，將Flash中的待運(yùn)行數(shù)據(jù)復(fù)制到RAM中進(jìn)行存儲(chǔ)，在RAM中再對其進(jìn)行解壓和解密處理，之后在RAM中運(yùn)行解壓和解密后的數(shù)據(jù)；

所述掉電處理模塊，用于當(dāng)系統(tǒng)開始掉電時(shí)，將RAM中運(yùn)行后的數(shù)據(jù)進(jìn)行加密和壓縮處理，得到加密和壓縮后的數(shù)據(jù)，之后將其復(fù)制到Flash中進(jìn)行存儲(chǔ)。

所述包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述上電處理模塊包括：

壓縮及復(fù)制單元，用于當(dāng)系統(tǒng)上電時(shí)，將Flash中的待運(yùn)行數(shù)據(jù)進(jìn)行加密和壓縮處理后，得到待運(yùn)行數(shù)據(jù)的壓縮包，并將其復(fù)制到RAM中進(jìn)行存儲(chǔ)；

解壓縮單元，用于對復(fù)制到RAM中進(jìn)行存儲(chǔ)的所述待運(yùn)行的經(jīng)過加密和壓縮的數(shù)據(jù)包進(jìn)行數(shù)據(jù)解壓處理，將其解壓為解壓數(shù)據(jù)；