[發(fā)明專利]存儲單元和具有存儲單元的存儲設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410019475.5
• 申請日: 2014-01-16
• 公開（公告）號: CN103928050B
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發(fā)明（設計）人: 李重在;孫京睦;高相基;金時雨
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C11/413
• 分類號: G11C11/413
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張泓

1.一種存儲單元，包括：

寫晶體管，包括耦接到寫字線的柵電極、耦接到寫位線的第一電極和耦接到存貯節(jié)點的第二電極；

讀晶體管，包括耦接到存貯節(jié)點的柵電極、耦接到讀字線的第一電極和耦接到讀位線的第二電極；以及

金屬氧化物半導體電容器，包括耦接到存貯節(jié)點的柵電極和耦接到同步控制線的下電極，該下電極被耦接為通過同步控制線接收同步脈沖信號。

2.根據權利要求1所述的存儲單元，其中，同步脈沖信號在寫操作中被施加到同步控制線。

3.根據權利要求2所述的存儲單元，其中，同步脈沖信號與施加到寫字線的寫字線信號同步地被施加到同步控制線。

4.根據權利要求1所述的存儲單元，其中，同步脈沖信號在讀操作中被施加到同步控制線。

5.根據權利要求4所述的存儲單元，其中，同步脈沖信號與施加到讀字線的讀字線信號同步地被施加到同步控制線。

6.根據權利要求1所述的存儲單元，其中，寫晶體管和讀晶體管是p型金屬氧化物半導體晶體管。

7.根據權利要求6所述的存儲單元，其中，在寫操作中：

在邏輯低電平被有效的寫字線信號被施加到寫字線，并且同步脈沖信號與寫字線信號同步地在邏輯低電平被有效。

8.根據權利要求6所述的存儲單元，其中，在讀操作中：

在邏輯高電平被有效的讀字線信號被施加到讀字線，并且同步脈沖信號與讀字線信號同步地在邏輯低電平被有效。

9.根據權利要求1所述的存儲單元，其中，寫晶體管是p型金屬氧化物半導體晶體管并且讀晶體管是n型金屬氧化物半導體晶體管。

10.根據權利要求9所述的存儲單元，其中，在寫操作中：

在邏輯低電平被有效的寫字線信號被施加到寫字線，并且

同步脈沖信號：

a)在寫字線信號在邏輯低電平被有效之前，被維持在邏輯高電平與邏輯低電平之間的第一電平，以及

b)與寫字線信號同步地在邏輯低電平被有效。

11.根據權利要求9所述的存儲單元，其中，在寫操作中：

在邏輯低電平被有效的寫字線信號被施加到寫字線，并且

同步脈沖信號：

a)被維持在邏輯高電平與邏輯低電平之間的第一電平，

b)在寫字線信號在邏輯低電平被有效之前改變?yōu)檫壿嫺唠娖剑约?/p>

c)與寫字線信號同步地在邏輯低電平被有效。

12.根據權利要求9所述的存儲單元，其中，在讀操作中：

在邏輯低電平被有效的讀字線信號被施加到讀字線，并且

同步脈沖信號：

a)在讀字線信號在邏輯低電平被有效之前，被維持在邏輯高電平與邏輯低電平之間的第一電平，以及

b)與讀字線信號同步地在邏輯高電平被有效。

13.根據權利要求1所述的存儲單元，其中，金屬氧化物半導體電容器包括沿著存儲單元的邊緣在第一方向上的一個雜質區(qū)，該一個雜質區(qū)對應于下電極。

14.根據權利要求13所述的存儲單元，其中：

讀晶體管的柵電極以及金屬氧化物半導體電容器的柵電極被整體地形成為一個公共電極，并且

該一個公共電極包括沿著第一方向與一個雜質區(qū)重疊的區(qū)域。

15.根據權利要求14所述的存儲單元，其中，一個公共電極通過共享的接觸件被電連接到寫晶體管的第二電極。