[發明專利]芯片裝置和用于形成芯片裝置的方法

有效

• 申請號: 201410019452.4
• 申請日: 2014-01-16
• 公開（公告）號: CN103928445B
• 公開（公告）日: 2017-07-28
• 發明（設計）人: R.奧特倫巴;M.賽布特
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/50
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 劉金鳳,胡莉莉

1.一種芯片裝置，包括：

載體；

包括至少一個接觸焊盤的至少一個芯片，其設置于所述載體上；

密封材料，其至少部分地圍繞所述至少一個芯片和所述載體；以及

多個低溫共燒陶瓷片，其設置于所述載體的底側上，所述載體的底側與所述芯片被設置在其上的側面相對，且其中所述多個低溫共燒陶瓷片的每一個具有背離所述載體的完全暴露的表面，所述暴露的表面彼此共面，

其中所述密封材料形成在所述至少一個芯片上方以及所述載體的一個或多個側壁的上方，從而使得所述密封材料的至少一個底表面與所述載體的所述底側鄰接并共面，

其中所述多個低溫共燒陶瓷片中的至少一個被直接設置在所述載體的所述底側的一部分之上，并直接設置在所述密封材料的與所述載體的所述底側鄰接并共面的所述至少一個底表面的一部分之上。

2.根據權利要求1所述的芯片裝置 ，

其中，所述載體包括引線框架材料，該引線框架材料包括來自以下材料組的至少一種，該材料組包括：銅、鎳、鐵、銅合金、鎳合金、鐵合金。

3.根據權利要求1所述的芯片裝置，

其中，所述至少一個芯片包括功率半導體芯片、半導體邏輯芯片和半導體存儲器芯片中的至少一個。

4.根據權利要求3所述的芯片裝置，

其中，所述功率半導體芯片包括來自包括以下各項的組的至少一個功率半導體器件：功率晶體管、功率MOS晶體管、功率雙極晶體管、功率場效應晶體管、功率絕緣柵雙極晶體管、閘流晶體管、MOS受控閘流晶體管、硅控整流器、肖特基功率二極管、碳化硅二極管、氮化鎵器件。

5.根據權利要求3所述的芯片裝置，

其中，所述半導體邏輯芯片包括來自包括以下各項的組的至少一個半導體邏輯器件：專用集成電路芯片、驅動器、控制器、傳感器。

6.根據權利要求1所述的芯片裝置，

其中，所述密封材料包括來自下組材料的至少一種，該組包括：填充的或未填充的環氧樹脂、預先浸漬復合纖維、加強纖維、層壓材料、模制材料、熱固材料、熱塑性材料、填料顆粒。

7.根據權利要求6所述的芯片裝置， 其中所述層壓材料是纖維加強層壓材料。

8.根據權利要求7所述的芯片裝置， 其中纖維加強層壓材料是纖維加強聚合物層壓材料。

9.根據權利要求8所述的芯片裝置， 其中纖維加強聚合物層壓材料是具有填料顆粒的纖維加強聚合物層壓材料。

10.根據權利要求1所述的芯片裝置，

其中，所述密封材料形成于所述至少一個芯片的一個或多個側壁上。

11.根據權利要求1所述的芯片裝置，

其中，所述多個低溫共燒陶瓷片的所述每一個包括陶瓷顆粒、玻璃和金屬。

12.根據權利要求11所述的芯片裝置，

其中，所述多個低溫共燒陶瓷片的每一個包括燒結在一起的陶瓷顆粒和玻璃顆粒，其中，所述多個低溫共燒陶瓷片的每一個被燒結到所述載體的所述側面。

13.根據權利要求11所述的芯片裝置，

其中，所述玻璃包括鋁硼硅酸鹽玻璃。

14.根據權利要求11所述的芯片裝置，

其中，所述陶瓷顆粒包括氧化鋁。

15.根據權利要求11所述的芯片裝置，

其中，所述金屬包括來自以下材料組的至少一種，該材料組包括：銅、銀、鈀、金、鉑。

16.根據權利要求1所述的芯片裝置，還包括

至少一個另外的低溫共燒陶瓷片，其設置在所述至少一個芯片與所述載體之間。

17.根據權利要求1所述的芯片裝置，還包括

至少一個導線，其電連接到所述至少一個接觸焊盤，其中，所述密封材料至少部分地圍繞所述至少一個導線，并且其中，所述至少一個導線被電連接到引線框架。