[發明專利]高性能和高可靠性閃存存儲器的潛在的緩慢擦除位的動態檢測方法

有效

• 申請號: 201410019313.1
• 申請日: 2014-01-16
• 公開（公告）號: CN103943150B
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 穆甫臣;何晨
• 申請（專利權）人: 恩智浦美國有限公司
• 主分類號: G11C29/04
• 分類號: G11C29/04
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 劉倜

1.一種用于檢測在非易失性存儲器(NVM)中的潛在的緩慢擦除位的方法，包括：

確定用于在當前擦除周期期間擦除NVM存儲器單元的軟編程脈沖的最大數量，從相應的多個存儲器單元的多個軟編程脈沖計數確定所述最大數量；

確定所述當前擦除周期的所述軟編程脈沖的最大數量相比于至少一個先前擦除周期的先前軟編程脈沖的最大數量之間的變化率；以及

響應于所述變化率超過預定的第一閾值，斷言失敗指示器。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述斷言所述失敗指示器還包括：

基于所述變化率超過所述預定的第一閾值并響應于用于在所述當前擦除周期期間擦除所述NVM存儲器單元的所述軟編程脈沖的最大數量已經超過預定的第二閾值，斷言所述失敗指示器。

3.根據權利要求1所述的方法，其中確定所述變化率包括：

對所述當前擦除周期期間擦除脈沖的數量計數；以及

相比于所述先前擦除周期期間的先前擦除脈沖的數量，檢測擦除脈沖的數量的增加。

4.根據權利要求3所述的方法，還包括：

在所述當前擦除周期之前，將所述先前軟編程脈沖的最大數量和所述先前擦除脈沖的數量存儲在測試NVM區域中。

5.根據權利要求4所述的方法，還包括：

從所述測試NVM區域取回所述先前軟編程脈沖的最大數量和所述先前擦除脈沖的數量。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述預定的第一閾值相比于所述先前擦除周期中的所述先前軟編程脈沖的最大數量至少增加20％。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述預定的第一閾值相比于所述先前擦除周期中的所述先前軟編程脈沖的最大數量至少增加50％。

8.一種非易失性存儲器(NVM)包括：

位單元陣列，包括用于存儲多個位的多個位單元，所述位單元陣列包括用于脈沖計數存儲的測試存儲器區域；以及

NVM控制器，耦接至所述位單元陣列，所述NVM控制器被配置用于使所述NVM控制器確定用來在當前擦除周期期間擦除所述多個位單元的位單元的軟編程脈沖的最大數量、確定所述當前擦除周期的所述軟編程脈沖的最大數量相比于至少一個先前擦除周期的先前軟編程脈沖的最大數量之間的變化率、以及基于所述變化率超過預定的第一閾值斷言失敗信號以使所述NVM不合格。

9.根據權利要求8所述的NVM，其中所述NVM控制器還被配置用于基于所述變化率超過所述預定的第一閾值并響應于所述軟編程脈沖的最大數量已經超過預定的第二閾值，斷言指示NVM不合格的失敗信號。

10.根據權利要求9所述的NVM，其中所述NVM控制器還被配置用于對所述當前擦除周期期間擦除脈沖的數量計數，以及用于檢測擦除脈沖的數量相比于所述先前擦除周期期間的先前擦除脈沖的數量的增加。

11.根據權利要求10所述的NVM，其中所述NVM控制器還被配置用于將所述先前軟編程脈沖的最大數量和所述先前擦除脈沖的數量存儲在測試NVM區域中。

12.根據權利要求10所述的NVM，其中所述NVM控制器還被配置用于從所述測試NVM區域取回所述先前軟編程脈沖的最大數量和所述先前擦除脈沖的數量。

13.根據權利要求8所述的NVM，其中所述預定的第一閾值相比于所述先前擦除周期中的所述先前軟編程脈沖的最大數量至少增加20％。

14.根據權利要求8所述的NVM，其中所述預定的第一閾值相比于所述先前擦除周期中的所述先前軟編程脈沖的最大數量至少增加50％。