[發(fā)明專(zhuān)利]芯片裝置和用于制造芯片裝置的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410019271.1
• 申請(qǐng)日: 2014-01-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103928448A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: K.侯賽尼;F-P.卡爾茨;J.馬勒;M.門(mén)格爾
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L25/04
• 分類(lèi)號(hào): H01L25/04;H01L23/15;H01L23/373;H01L21/58
• 代理公司: 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 馬紅梅;徐紅燕

1.一種芯片裝置，包括：

載體；

電連接到載體的第一芯片；

設(shè)置在載體之上的陶瓷層；以及

設(shè)置在陶瓷層之上的第二芯片；

其中所述陶瓷層具有處于從3%到70%的范圍內(nèi)的孔隙率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片裝置，

其中所述第一芯片包括功率半導(dǎo)體芯片。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片裝置，

其中功率半導(dǎo)體芯片包括來(lái)自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組的至少一個(gè)功率半導(dǎo)體器件：功率晶體管、功率MOS晶體管、功率雙極型晶體管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管、功率絕緣柵雙極型晶體管、晶閘管、MOS控制晶閘管、可控硅整流器、功率肖特基二極管、碳化硅二極管、氮化鎵器件。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片裝置，

其中所述第二芯片包括半導(dǎo)體邏輯芯片或半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片裝置，

其中所述半導(dǎo)體邏輯芯片包括來(lái)自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組的半導(dǎo)體邏輯器件：專(zhuān)用集成電路、驅(qū)動(dòng)器、控制器和傳感器。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片裝置，

其中第一芯片面經(jīng)由導(dǎo)電介質(zhì)電連接到載體。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片裝置，

其中所述導(dǎo)電介質(zhì)包括來(lái)自下述材料組的至少一種材料，所述組由以下各項(xiàng)構(gòu)成：焊料、軟焊料、擴(kuò)散焊料、漿料、納米漿料、粘合劑、導(dǎo)電粘合劑和導(dǎo)熱粘合劑。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片裝置，

其中所述陶瓷層通過(guò)粘合劑材料而直接粘附在載體上。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片裝置，

其中所述陶瓷層包括電絕緣材料和導(dǎo)熱材料中的至少一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片裝置，

其中所述陶瓷層包括一種或多種粒子，所述一種或多種粒子包括來(lái)自下述材料組的至少一種材料，所述材料組由以下各項(xiàng)構(gòu)成：氧化鋁、氮化鋁、二氧化硅、氮化硅、碳化硅、二氧化鈦、氮化鈦、二氧化鋯、氮化硼、碳化硼。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片裝置，

其中所述陶瓷層進(jìn)一步包括填充材料，所述填充材料包括來(lái)自下述材料組的至少一種材料，所述材料組由以下各項(xiàng)構(gòu)成：有機(jī)材料、塑料、環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺、熱固料、聚丙烯酸酯、硅樹(shù)脂和硅石。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片裝置，

其中所述載體包括導(dǎo)電材料。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片裝置，

其中所述載體包括引線(xiàn)框，所述引線(xiàn)框包括來(lái)自下述材料組的至少一種材料，所述材料組由以下各項(xiàng)構(gòu)成：銅、鎳、鐵、銀、金、鈀、磷、銅合金、鎳合金、鐵合金、銀合金、金合金、鈀合金、磷合金。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片裝置，進(jìn)一步包括：

設(shè)置在載體之上的密封材料，其中所述密封材料至少部分地包圍第一芯片和第二芯片、以及載體的一個(gè)或多個(gè)側(cè)面。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片裝置，進(jìn)一步包括：

在陶瓷層之上和之下中的至少一個(gè)形成的至少一個(gè)導(dǎo)電層。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片裝置，

其中所述至少一個(gè)導(dǎo)電層包括來(lái)自下述材料組的至少一種材料，所述材料組由以下各項(xiàng)構(gòu)成：錫、鉛、銀、銅、鎳、鈀、鋅、鋁、金、銻、無(wú)機(jī)元素和有機(jī)元素。

17.一種用于制造芯片裝置的方法，所述方法包括：

將第一芯片電連接到載體；

在載體之上設(shè)置具有處于從3%到70%的范圍內(nèi)的孔隙率的陶瓷層；以及

在陶瓷層之上設(shè)置第二芯片。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，包括：

通過(guò)粘合劑材料將陶瓷層直接粘附在載體上。

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，

其中所述陶瓷層包括電絕緣材料和導(dǎo)熱材料中的至少一種。