[發明專利]布線基板的制造方法

在審

• 申請號: 201410019088.1
• 申請日: 2014-01-15
• 公開（公告）號: CN103929903A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發明（設計）人: 前田真之介
• 申請（專利權）人: 日本特殊陶業株式會社
• 主分類號: H05K3/42
• 分類號: H05K3/42
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

技術領域

本發明涉及布線基板的制造方法。

背景技術

一直以來，布線基板的布線的微細化在不斷進行。為了應對布線的微細化，在以往的布線基板中，較多使用下述半加成法：在絕緣層上形成化學銅鍍層，然后在該化學銅鍍層上用干膜形成規定的圖案，形成電鍍銅層。

在半加成法中，在剝離干膜后，為了去除通過該剝離而露出的化學銅鍍層會進行濕式蝕刻。然而，該濕式蝕刻會導致產生布線的下部被蝕刻的底切、布線自身變細的布線變細。其結果，布線進一步的微細化變難。

因此，提出了下述方案：在絕緣層上涂布含有化學鍍的催化劑（Pd）的光刻膠，圖案化為期望的形狀，然后以僅在形成布線的區域殘留催化劑的狀態進行化學鍍，由此形成布線（例如參見專利文獻1）。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平05-206121號公報

發明內容

發明要解決的問題

然而，在專利文獻1所提出的方法中，雖然對布線的形成方法進行了公開，但是對連接布線層和布線層的通道（via）的形成方法沒有進行任何公開。因此，在專利文獻1所提出的方法中，僅能夠得到布線層為1層的布線基板。

本發明是應對上述情況而進行的，其目的在于提供一種具有應對了微細化的通道的布線基板的制造方法。

用于解決問題的方案

為了達成上述目的，本發明的特征在于，其按順序具有下述工序：于絕緣層形成通孔（via?hole）的工序；在前述通孔內填充導體材料而形成通孔導體的工序；在前述絕緣層上形成主催化劑層的工序；在前述主催化劑層上形成呈期望的圖案且具有第1開口的掩模的工序；通過化學鍍法在從前述第1開口露出的前述主催化劑層上形成主導體層的工序；剝離前述掩模的工序；以及，去除由于前述掩模的剝離而露出的部分的前述主催化劑層的工序。

根據本發明，在去除主催化劑層時，能夠抑制成為布線的主導體層的下部被蝕刻的底切、布線自身變細的布線變細產生。另外，由于在主導體層的形成之前形成了通孔導體，因此能夠抑制在通孔導體中產生填充不良。

在本發明的一個實施方式中，其特征在于，其按順序具有下述工序：于絕緣層形成通孔的工序；在前述通孔內填充導體材料而形成通孔導體的工序；在前述絕緣層上形成主催化劑層的工序；在前述主催化劑層上形成呈期望的圖案且具有第2開口的掩模的工序；去除前述主催化劑層中從前述掩模露出的部分的工序；剝離前述掩模的工序；以及，通過化學鍍法在前述主催化劑層上形成主導體層的工序。

根據本發明的一個實施方式，在去除主催化劑層時，能夠抑制布線的下部被蝕刻的底切、布線自身變細的布線變細產生。

在本發明的另一個實施方式中，其特征在于，前述形成通孔導體的工序具有下述工序：在包括前述通孔的內壁面的前述絕緣層上形成副催化劑層的工序；通過化學鍍法在前述副催化劑層上形成副導體層的工序；以及，去除在除前述通孔內部以外的區域形成的前述副導體層，在前述通孔內形成前述通孔導體的工序。

根據本發明的另一個實施方式，能夠可靠地形成無填充不良的通孔導體。

在本發明的另一個實施方式中，其特征在于，前述形成通孔導體的工序具有下述工序：在包括前述通孔的內壁面的前述絕緣層上形成副催化劑層的工序；去除在前述通孔的內壁面以外的區域形成的前述副催化劑層工序；以及，通過化學鍍法在于前述通孔的內壁面形成的前述副催化劑層上形成前述通孔導體的工序。

根據本發明的另一個實施方式，由于在形成通孔導體之前去除副催化劑層，因此沒有通孔導體被蝕刻之虞。

在本發明的另一個實施方式中，其特征在于，在前述形成通孔的工序中，通過在前述絕緣層上具有保護層的狀態下形成貫通前述保護層和前述絕緣層的貫通孔，從而形成前述通孔，在前述形成副催化劑層的工序中，在前述通孔的內壁面和前述保護層的表面形成前述副催化劑層，通過去除前述保護層，從而去除在前述通孔的內壁面以外的區域形成的前述副催化劑層。