[發(fā)明專利]一種微納米結(jié)構(gòu)成形方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410018577.5
• 申請日: 2014-01-16
• 公開（公告）號: CN104793462A
• 公開（公告）日: 2015-07-22
• 發(fā)明（設計）人: 張宜文
• 申請（專利權(quán)）人: 四川云盾光電科技有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/20;G02B3/00;B82Y40/00
• 代理公司: 四川力久律師事務所 51221
• 代理人: 林輝輪;王蕓

1.一種微納米結(jié)構(gòu)成形方法，其特征在于步驟如下：

(1)在基底表面涂覆光刻膠；

(2)將基底的光刻膠面和掩模圖形分別放置于微透鏡陣列的像面和物面處；

(3)在掩模圖形上方放置毛玻璃，并利用光源照射毛玻璃產(chǎn)生散射光，作為掩模圖形的曝光光源；

(4)對掩模圖形進行縮小投影曝光，在曝光過程中，移動掩模圖形或移動涂覆有光刻膠的基片，或移動微透鏡陣列實現(xiàn)對抗蝕劑表面光強的連續(xù)調(diào)制；

(5)更換其它物體，并移動掩模圖形、微透鏡陣列、涂覆抗蝕劑基片三者之間的相對位置，重復步驟(4)實現(xiàn)不同物體的嵌套光刻；

(6)取出基片進行顯影，即可獲得需要的連續(xù)面形微結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微納米結(jié)構(gòu)成形方法，其特征在于：所述步驟(1)中的基底可以為紅外材料(如：硅、鍺)，也可以是可見光材料(如：石英、玻璃等)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微納米結(jié)構(gòu)成形方法，其特征在于：所述步驟(1)中的光刻膠的型號S1830，光刻膠的厚度為幾百納米到幾微米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微納米結(jié)構(gòu)成形方法，其特征在于：所述步驟(2)中掩模圖形為周期圖形，或為非周期圖形。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微納米結(jié)構(gòu)成形方法，其特征在于：所述步驟(3)中的光源為汞燈光源。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微納米結(jié)構(gòu)成形方法，其特征在于：所述步驟(4)中對掩模圖形進行縮小投影曝光的比例約100∶1～1000∶1。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微納米結(jié)構(gòu)成形方法，其特征在于：所述步驟(4)中的曝光時間為幾十秒到幾十分鐘。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微納米結(jié)構(gòu)成形方法，其特征在于：所述步驟(4)中，掩模圖形或者微透鏡陣列或者基片的移動方式為平動，或轉(zhuǎn)動。