[發明專利]一種后柵工藝中的柵極形成方法有效
| 申請號： | 201410018494.6 | 申請日： | 2014-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN104779150B | 公開（公告）日： | 2017-10-20 |
| 發明（設計）人： | 于洪宇;張淑祥;楊紅 | 申請（專利權）人： | 南方科技大學;中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京維澳專利代理有限公司11252 | 代理人： | 王立民,吉海蓮 |
| 地址： | 518055 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 工藝 中的 柵極 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種后柵工藝中的柵極形成方法，其特征在于，包括：
進行多次淀積工藝以在柵開口中形成柵介質層，淀積工藝包括步驟：淀積柵介質材料；每次淀積工藝后低溫熱退火；
所述低溫熱退火的氣氛為N2/O2，溫度為450℃，時間為15s，氣壓為50torr；
多次淀積工藝中，每次淀積的柵介質材料的厚度為遞減；
在柵介質層上淀積柵極。
2.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述柵極中包括金屬吸氧層。
3.根據權利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述金屬吸氧層包括：Hf、Al、Ti或Be。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
