[發明專利]一種操作多位存儲單元的方法

有效

• 申請號: 201410018267.3
• 申請日: 2014-01-15
• 公開（公告）號: CN103928042B
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發明（設計）人: 洪碩男;呂函庭;陳弟文;黃世麟;張國彬;謝志昌;洪俊雄;李永駿
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C7/00
• 分類號: G11C7/00;G06F12/08
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 任巖

1.一種操作多位存儲單元的方法，包含以下步驟：

為編程多個多位階存儲單元而儲存一數據集，該數據集代表各存儲單元為多個編程狀態之一，或為一禁止狀態，其中該多個編程狀態是對應于該多個多位階存儲單元的多個目標編程位階；以及

對該多個多位階存儲單元執行多個編程周期，其中該多個編程周期之一包含：

對于在該多個編程狀態的多個多位階存儲單元，施加一編程偏壓；

在施加該編程偏壓后，利用該多個編程狀態中的多個編程狀態，對一部分的該多個多位階存儲單元施加多個編程驗證步驟，使其由該多個編程狀態變化為該禁止狀態，其中該部分的該多個多位階存儲單元是透過在一指示編程狀態的目標編程位階；

其中，該多位存儲單元包含多層疊層式的多位階存儲單元，以及包含將該多個多位階存儲單元區分為多個存儲單元群組，其中一第一存儲單元群組包含一第一個存儲單元層的群組，且一第二存儲單元群組包含一第二個存儲單元層的群組，以及

其中于執行該多個編程周期時，包含：

在該第二存儲單元群組的該多個多位階存儲單元為該禁止狀態時，對該第一存儲單元群組內的該多個多位階存儲單元施加一第一編程周期的序列，以及

在該第一存儲單元群組的該多個多位階存儲單元為該禁止狀態時，對該第二存儲單元群組內的該多個多位階存儲單元施加一第二編程周期的序列；

其中該多個存儲單元群組包含至少三個存儲單元群組，且各該存儲單元群組內的位線是被其兩個存儲單元群組的至少其他兩根位線所分開。

2.根據權利要求1所述的方法，其中該多個多位階存儲單元包含電荷捕捉存儲單元，且該多個目標編程位階為閾值電壓位階。

3.根據權利要求1所述的方法，其中執行該多個編程周期包含一編程周期的序列，其中在該多個編程狀態的該多個多位階存儲單元的編程位階是逐漸增加的。

4.根據權利要求1所述的方法，其中執行該多個編程周期包含在至少一編程周期內，對在該多個編程狀態的該多個多位階存儲單元施加一編程偏壓；以及在施加該編程偏壓后，對該多個編程狀態之一僅進行一編程驗證步驟。

5.根據權利要求1所述的方法，其中執行該多個編程周期包含在至少一編程周期內，對在該多個編程狀態之一的多位階存儲單元施加一編程偏壓；以及，在施加該編程偏壓后，施加多個編程驗證步驟，其中該多個編程驗證步驟包含對于各該編程位階進行一編程驗證步驟。

6.根據權利要求1所述的方法，其中是于該多個編程周期改變該編程偏壓。

7.根據權利要求4或5所述的方法，其中在該至少一編程周期內的該編程驗證的步驟包含：判斷在該多個編程狀態的存儲單元，透過多于多個閾值電壓之一的驗證。

8.根據權利要求1所述的方法，其中在一編程周期施加的該編程偏壓包含：

在一字線施加一字線電壓，其中該字線是被共同耦接于該多個多位階存儲單元，且一被選擇的編程設定偏壓與一編程禁止偏壓被施加于與該多個多位階存儲單元耦接的多個位線。

9.根據權利要求1所述的方法，其中包含以下步驟：

在進行該多個編程周期前，使用一初步編程序列。

10.根據權利要求9所述的方法，其中該初步編程序列包含一個或多個初步編程周期，其中在一初步編程周期內，施加一編程偏壓于在多個編程狀態之一的多位階存儲單元；以及，在施加該編程偏壓后，在至少一初步編程位階施加至少一初步編程驗證步驟。

11.根據權利要求9所述的方法，其中該初步編程序列包含：執行多個初步編程周期，其中在至少一初步編程周期內，施加一編程偏壓于在多個編程狀態的多個多位階存儲單元，以及在施加該編程偏壓后，施加多個編程驗證步驟，其中包含對多個初步編程位階之一進行一初步驗證步驟。

12.根據權利要求11所述的方法，其中對多個初步編程位階之一進行一初步驗證步驟包含：

對各初步編程位階施加不同的初步編程驗證電壓。